對半導體制造商和設(shè)備供應商來說，智慧手機和PC市場飽和，無法帶動業(yè)績成長，以往生產(chǎn)功能更強晶片的傳統(tǒng)做法，預料也難扭轉(zhuǎn)頹勢，如今業(yè)界采用新技術(shù)，像是全耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）和3D NAND。

　　華爾街日報報導，半導體業(yè)面臨的業(yè)績壓力已經(jīng)引發(fā)整并風潮，最新數(shù)據(jù)也指出，今年全球半導體設(shè)備廠商營收恐怕僅成長1%至369.4億美元，而晶片營收可能下滑2.4%，利空就是智慧手機的成長趨緩，PC市場也正在萎縮。半導體業(yè)都在問：下一個成長機會在哪里？

　　如今有許多業(yè)者陸續(xù)采用新材料與新生產(chǎn)技術(shù)來因應市場變化，這些業(yè)者看好連網(wǎng)裝置需求，但物聯(lián)網(wǎng)的晶片需求不一樣，要求晶片成本控制在1美元以下，并且可運行數(shù)年，不需換電池。

　　格羅方德（GlobalFoundries）與競爭對手三星電子已經(jīng)采用稱為FD-SOI的技術(shù)，這項技術(shù)在耗電與成本上具有優(yōu)勢，仰賴法國廠商Soitec特別量身訂制的半導體晶圓。

　　Soitec執(zhí)行長布德爾說，日本科技大廠Sony近來設(shè)計的智慧手機GPS晶片便使用FD-SOI技術(shù)，結(jié)果晶片耗電量只有原本晶片的十分之一，讓用戶可以更頻繁使用衛(wèi)星定位技術(shù)，不必擔心會吃掉手機太多電力。

　　有些業(yè)者也開始在不生產(chǎn)更小電晶體的情況下，進一步挖掘晶片的潛能，NAND快閃記憶體廠商已經(jīng)以3D NAND的方式，透過堆疊多層電路來提升效能。這項技術(shù)需要采購許多生產(chǎn)設(shè)備，因此令許多廠商受惠，應用材料（Applied Materials）便是其中之一。

　　閱讀祕書／FD-SOI

　　全耗盡型絕緣上覆矽（Fully Depleted Silicon-on-Insular，F(xiàn)D-SOI）是鰭式場效電晶體（FinFET）與三閘極電晶體架構(gòu)（Tri-Gate）的互補技術(shù)，被視為是可望在物聯(lián)網(wǎng)與汽車市場取代FinFET的理想替代方案，其特色為功耗低、性能和成本效益較佳。目前支持FD-SOI的晶圓代工廠包括格羅方德以及三星電子。