第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆琋AND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SSD)的需求，并同時(shí)積極轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND Flash，讓2D-NAND Flash的產(chǎn)出持續(xù)下滑，因此現(xiàn)貨與通路市場(chǎng)的貨源更顯緊縮。

　　DRAMeXchange預(yù)估2016年第三季的TLC-Wafer及現(xiàn)貨卡片價(jià)格將持續(xù)走揚(yáng)，而第四季的NAND Flash市況將視新一代iPhone與其他品牌智慧型手機(jī)新品上市后的銷售力道而定。

　　三星西安廠停電事故將加深市場(chǎng)供不應(yīng)求預(yù)期心理

　　6月18日凌晨中國(guó)西安市南一變電站爆炸，使三星西安廠短暫停電數(shù)秒，在工程師搶修設(shè)備，并快速進(jìn)行線上晶圓損害清查后，目前部分產(chǎn)能已恢復(fù)生產(chǎn);現(xiàn)階段三星西安廠投產(chǎn)規(guī)模達(dá)每月10萬(wàn)片，全數(shù)為先進(jìn)的3D-NAND Flash，主要應(yīng)用在固態(tài)硬碟。

　　楊文得指出，依照事發(fā)當(dāng)日部分產(chǎn)能已能恢復(fù)生產(chǎn)的進(jìn)度來(lái)看，此次停電對(duì)三星NAND Flash的產(chǎn)出影響有限，預(yù)估當(dāng)日其線上受損晶圓(Wafer-In-Process)片數(shù)約略在1萬(wàn)片以內(nèi)，此缺口透過增加投片及縮短部份制程可以彌 補(bǔ)，但此突發(fā)事件恐將加深市場(chǎng)對(duì)第三季NAND Flash供不應(yīng)求的預(yù)期性心理。

　　eMMC/eMCP受益平均搭載容量加大、固態(tài)硬碟需求動(dòng)能強(qiáng)勁

　　楊文得指出，2016 年NAND Flash需求位元年成長(zhǎng)率為42%，其中以智慧型手機(jī)、平板及固態(tài)硬碟的需求為主要?jiǎng)幽埽颊w成長(zhǎng)比重逾90%。雖然今年智慧型手機(jī)出貨已進(jìn)入成長(zhǎng)高 原期，但eMMC/eMCP市場(chǎng)仍得益于平均搭載容量的逐步放大，如新一代iPhone極可能搭載最高256GB儲(chǔ)存容量，首波備貨需求大大挹注第三季 NAND Flash市場(chǎng)。

　　此外，eMMC/eMCP的降價(jià)趨勢(shì)，也激勵(lì)中國(guó)品牌等智慧型手機(jī)廠商競(jìng)相提高產(chǎn)品規(guī)格，32GB以上容量已成為高階智慧型手機(jī)搭載的大宗，16GB所占比例則逐漸縮小。

　　今年固態(tài)硬碟強(qiáng)勁的需求動(dòng)能占整體NAND Flash高達(dá)34%，在各終端應(yīng)用領(lǐng)域稱冠。由于2016年底128GB固態(tài)硬碟價(jià)格將低于500GB傳統(tǒng)硬碟，使得用戶級(jí)固態(tài)硬碟價(jià)格的吸引力愈趨顯 著。DRAMeXchange預(yù)估2016年筆記型電腦SSD搭載率有望在第四季挑戰(zhàn)40%門檻。