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JDI要開發(fā)下一代CAAC-IGZO背板技術

2016-05-18

  日本顯示公司(Japan Display,簡稱JDI)日前宣布與半導體能源研究所(Semiconductor Energy Laboratory,簡稱SEL)簽署了技術開發(fā)協(xié)議,雙方將聯(lián)合開發(fā)用于下一代顯示器(包括OLED顯示器)的氧化物半導體背板技術(Oxide-semiconductorbackplane technology)。

  SEL的背板技術被稱為c-軸對齊晶體(CAAC),是其與夏普(Sharp)聯(lián)合開發(fā)的。CAAC是基于具有新型晶體結構的IGZO薄膜。

  SEL表示,CAAC-IGZO(稱之為氧化物半導體CAAC-OS)具有極低的關閉電流,可極大地降低功耗。

  SEL成功制備了CAAC-OS原型背板,并在過去幾年中展示了多種新型CAAC-OS AMOLED,包括可折疊OLED(與諾基亞聯(lián)合開發(fā)),13.3英寸8K(664PPI)AMOLED,81英寸8K平鋪柔性OLED,以及混合OLED-反射-液晶原型。

  日本顯示似乎正在加緊布局OLED,目標是成為蘋果第二大AMOLED供應商。數(shù)月前,有報道稱JDI旨在獲得JOLED。JDI最初的興趣在于夏普的液晶部門,但夏普最終決定將其出售給富士康。2015年有報道稱,JOLED與蘋果曾就成為其未來iPad設備供應商的可能性進行談判。


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