中國(guó)北京—2016年3月22日訊—阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar公司今日宣布正式進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，并在上海設(shè)立新的辦事處。

　　Crossbar公司首席執(zhí)行官George Minassian博士表示：“中國(guó)是電子行業(yè)發(fā)展最快的市場(chǎng)，亦是絕大多數(shù)產(chǎn)品的制造基地。憑借我們?cè)谥袊?guó)深厚的風(fēng)投實(shí)力和資源、新成立的本地辦事處以及行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，我們相信將在中國(guó)消費(fèi)電子、企業(yè)、移動(dòng)、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)掀起新一輪電子創(chuàng)新浪潮。此外，我們近期與中芯國(guó)際已達(dá)成合作，將我們的嵌入式技術(shù)用于中芯國(guó)際40nm甚至更高工藝，有望使新的應(yīng)用開發(fā)受益。”

　　通過集成更大的片上非易失性阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）到智能卡、機(jī)頂盒、IP相機(jī)和監(jiān)視器等一系列應(yīng)用，Crossbar的客戶現(xiàn)正設(shè)計(jì)并推出低功耗、高安全性的解決方案。

　　Minassian博士還表示：“物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備市場(chǎng)需要節(jié)能、安全和低成本的微控制器。Crossbar RRAM技術(shù)能提供片上編程和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的嵌入式內(nèi)存模塊，也可單獨(dú)作為EEPROM內(nèi)存，將是滿足這些需求的理想解決方案。”

　　Crossbar技術(shù)首先由中國(guó)出生的盧偉（Dr. Wei D. Lu）博士研發(fā)，他也是Crossbar的首席科學(xué)家和聯(lián)合創(chuàng)始人。盧博士擁有中國(guó)清華大學(xué)物理學(xué)士學(xué)位，以及德克薩斯州萊斯大學(xué)物理學(xué)博士學(xué)位。盧博士在RRAM領(lǐng)域積累了十二年的研究經(jīng)驗(yàn)，他先作為哈佛大學(xué)的博士后研究員，然后被任命為密歇根大學(xué)教授從事這項(xiàng)研究。他是納米結(jié)構(gòu)和設(shè)備行業(yè)的領(lǐng)先專家，包括基于雙端電阻開關(guān)設(shè)備的高密度內(nèi)存和邏輯系統(tǒng)、神經(jīng)元電路、半導(dǎo)體納米線設(shè)備和低維系統(tǒng)中的電子輸運(yùn)。

　　Crossbar  RRAM技術(shù)被廣泛視為極有可能取代當(dāng)前非易失性內(nèi)存技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者，從而贏得這一價(jià)值600億美元的全球市場(chǎng)。Crossbar技術(shù)可在一個(gè)200平方毫米的芯片上存儲(chǔ)數(shù)個(gè)TB的數(shù)據(jù)，能夠?qū)⒑Ａ啃畔ⅲ?50小時(shí)的高清電影，存儲(chǔ)在比郵票還小的集成電路上，并進(jìn)行回放。憑借簡(jiǎn)單的三層結(jié)構(gòu)，堆疊性和CMOS兼容性，Crossbar能在最新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)下將邏輯和存儲(chǔ)集成到單芯片上，實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)或其他非易失性內(nèi)存技術(shù)無可比擬的存儲(chǔ)容量。Crossbar擁有大容量和快速的優(yōu)勢(shì)，并將成為下一代企業(yè)和數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)系統(tǒng)的理想選擇。