2016年3月10日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的六款新產品，其可將用于太陽能發電系統的功率調節器中的轉換損耗降至最低，并減少不間斷電源（UPS）系統中的逆變器應用。推出的六種新產品額定功率分別為650 V /40 A、50 A、75 A、1250 V / 25 A、40 A和75 A。瑞薩也為帶內置二極管的1,250V IGBT實現了業界首款TO-247 plus封裝，它為系統制造商提供了更大的電路配置靈活性。

　　憑借電源轉換器領域設計低損耗IGBT的專業知識，瑞薩電子優化了第八代IGBT，在過程結構中采用獨特的溝槽柵配置（注1）。相較于以往的IGBT產品，這些裝置具有更快的轉換性能，這是IGBT性能指標的一個基本特征，同時，還通過降低飽和電壓減少了傳導損耗（Vce（飽和），注2）。此外，第八代設備的性能指數（注3）與之前的第七代IGBT相比改進了30%，有助于為用戶系統降低功耗并改善整體性能。對注重光伏（PV）逆變器、UPS、工業電機驅動器和功率因數校正（PFC）的電力行業主要市場來說，這些更新是必不可少的。

　　在太陽能發電系統中，當由太陽能電池板由太陽光產生的直流電（DC）流過反相電路轉換為交流電（AC）時，不可避免地會造成一些功率損失。由于大多數這種功耗損失發生在所用的功率器件內，因此降低IGBT功率損耗對用戶系統的發電性能具有直接的積極影響。同樣，對服務器機房和數據中心的UPS系統來說，電力必須持續流經功率轉換器電路，以監測電源是否已中斷，這意味著當系統正在運行時，會產生穩定功耗。IGBT性能是減少這種功耗的關鍵因素。

　　新型第八代IGBT的主要特點包括：

　　（1）切換更快，具有業界領先的超低功耗特性，是反相電路的理想選擇

　　瑞薩利用其長期低損耗IGBT設計專長開發了獨特的溝槽柵配置。新型IGBT采用最先進的工藝技術，可實現快速切換性能和低飽和電壓（VCE（飽和））特性，這決定了IGBT器件的性能指標。因此，性能指數改善了30%。此外，瑞薩分析了可減少反相電路功耗的元素并設計了新設備，以減少電導和開關損耗。因此大大降低了IGBT功耗，這部分功耗占功率轉換器電路總功耗的一半以上。

　　（2）得益于低開關噪聲，無需安裝外部柵極電阻

　　在IGBT中，需在噪聲特性和開關速度之間做出權衡。第八代IGBT在切換期間產生的柵極噪聲大大減少，這樣系統制造商可拆卸之前為降低噪音而安裝的柵極電阻，從而減少元件數量，加強設計的緊湊性。

　　（3）TO-247封裝具有優異的散熱性；可確保在175℃的高溫下運行

　　TO-247封裝底面由金屬制成，這樣可以將由IGBT功耗所產生的熱量直接輸送到具有優異散熱性能的封裝外表面。新器件可適應175℃的高溫，這樣便可以用于因大功率級傳輸而易升溫的區域，有助于改善用戶系統的性能和可靠性。

　　（4）TO-247plus離散封裝類型中首個帶內置二極管的1250 V IGBT，可用于額定功率為100C的75A電流環

　　在之前幾代產品中，由于考慮到如發熱、噪音和運行質量等因素，額定功率為100C的75A電流環一般會被并入采用大封裝的模塊。但憑借第八代IGBT技術低損耗和芯片尺寸更小的特點，瑞薩在業內實現了首個采用離散TO-247 plus 封裝帶內置二極管的1,250 V IGBT。通過在額定功率為100C的75A電流帶中使用離散封裝器件，系統制造商實現了只有離散器件具備的增強電路配置的靈活性，且可輕易提高系統的功率容量。

　　即使在非反相電路應用中，新型第八代G8H系列設備也可施展快速切換性能，例如，可使轉換器升壓電路具有出色的性能。

　　定價和供貨情況

　　現可提供第八代IGBT的樣品。系統制造商可選擇最匹配反相電路類型和所需輸出能力的產品。每個產品版本價格不同，例如，RBN50H65T1GPQ-A0 650 V / 50 A的產品樣品定價為每件3.00美元。計劃于2016年9月開始量產，預計到2017年3月月產量可達到60萬件（定價和供貨情況如有變更，恕不另行通知。）

　　（注1）溝槽柵結構會在芯片表面形成深而窄的槽（溝槽），隨后在溝槽兩側形成MOSFET柵極。從而提高單元密度，并有助于降低導通電阻。

　　（注2）飽和電壓（Vce（飽和））是IGBT性能最重要的指標。它表示的是操作狀態下集電極和發射極之間的電壓。該電壓值越低，電流流過該元件時的導通損失就越少。

　　（注3）該性能指標等于開關損耗×Vce（飽和）。