“他山之石可以攻玉。”借鑒日韓以及我國臺灣地區的經驗，可以更好地探索出一條適宜中國大陸當前發展存儲產業的路徑——抓住重大技術變革機遇期，在打造龍頭骨干IDM企業的同時，也不應放松存儲業生態集群的培育。

　　產業面臨技術革新機遇

　　過去30余年中，全球存儲器產業經歷了兩次區域性的產業轉移：20世紀80年代存儲產業重心從歐美國家轉移到日本，90年代從日本轉移到韓國。

　　目前，從事DRAM生產開發的企業不下40家，但是這個行業一直都處于不斷兼并重組之中，比如2008年奇夢達被并購，2012年爾必達破產等，競爭格局已經由群雄割據向三雄爭霸轉變。

　　“中國發展存儲產業一定不能脫離開國際產業的大環境，孤立發展。”中科院微電子所所長葉甜春向《中國電子報》記者說。

　　資料顯示，全球兩次存儲轉移都有著重要的產業背景。存儲器從美國向日本的轉移，根本原因是日本經濟二戰后迅速崛起的歷史浪潮，直接原因則受益于電子制造業從歐美向日本的轉移。

　　上世紀90年代，韓國抓住了6英寸晶圓廠過渡到8英寸的世代交替，以9座8英寸晶圓廠的產能優勢，一舉取代日本廠商，躍居全球DRAM產業的首位。

　　當前存儲器技術正在發生革命性的變革，中國正面臨一次歷史性機遇。

　　以3D NAND技術為例，當前NAND已經量產到了20nm，工藝進程排到了1Z。盡管國內產業幾乎是空白，落后國外幾十年，但是在向3D技術轉移的時候，將會采用較為成熟的30nm工藝外加3D技術。這樣差距就縮小到10年以內。中國企業如果直接引進3D技術，將在產業鏈中找到機會。

　　一定要走IDM的模式

　　盡管中國有可能抓住存儲產業技術革新的機遇，但是具體路徑仍需認真考量，特別是我國臺灣地區的經驗教訓值得我們借鑒。

　　根據半導體專家莫大康的介紹，日本半導體追趕美國，韓國半導體追趕日本，都是以存儲器為突破口。我國臺灣地區試圖以同樣的方法，希望在8英寸向12英寸晶圓廠過渡的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。

　　但是，最終我國臺灣地區并未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利，韓國的三星電子及SK海力士至今仍雄居全球存儲器第一位與第二位。

　　“我國臺灣地區在存儲器領域的失敗自然有多方面原因，但是沒有打造出強大的IDM存儲器廠商是一個重要因素。主流存儲器，不管是DRAM還是NAND，拼的都是先進工藝和規模。美、韓、日之前都是走的這條路。我國臺灣地區走的則是利基型存儲器路線，基本上都是別人淘汰后不做的產品。”賽迪智庫集成電路產業研究所所長霍雨濤告訴《中國電子報》記者說。

　　葉甜春指出：“從模式上看，發展存儲產業一定要走IDM的模式，如果走虛擬IDM模式的話，必須是資本為紐帶的產業鏈合作，這種模式也可以嘗試。”

　　觀察全球存儲器產業構成中，三星、SK海力士、美光等無一例外都是IDM廠商，都有自己的晶圓制造廠與封測廠，產業布局相當完善。

　　究其原因，存儲器產業的特點是拼制造工藝、拼產能，這樣才能把成本降下來，最終贏得市場，所以生產制造能力是存儲器廠商的核心競爭力，廠商往往嚴格把控。

　　構筑產業生態集群更重要

　　除了重點打造IDM龍頭企業之外，中國也不應當忽視有關存儲的生態集群的培育。

　　整個存儲半導體產業范圍廣闊，新的增長點層出不窮，不僅包括與存儲芯片直接相關的代工制造、封裝測試，還有著多樣的周邊芯片。

　　比如，瀾起科技在機頂盒芯片之外的新業務增長點就是應用于服務器的DDR寄存緩沖器芯片;2015年我國投資公司與Cpress經過多輪競購方成功收購的芯成半導體公司主營也是設計與銷售SRAM、中低密度DRAM、EEPROM等集成電路產品。

　　未來隨著大數據時代到來，數據中心將應用更多存儲芯片，與存儲器相關的新需求，如節能管理等，還將層出不窮。

　　隨著存儲芯片生產復雜程度的提高以及投資額的攀升，“單打獨斗”模式的風險也在加大，存儲廠商越來越多考慮通過合資、外包等各種形式分散風險。

　　同時，在DRAM產能持續緊缺時，為了保證及時的供貨，廠商也有動力將部分訂單外包，而非盲目擴產。目前全球主要存儲廠商紛紛在晶圓制造以及封測環節尋求外包與合作。

　　所以，建立適宜的存儲產業環境越來越重要，而不能將目光只盯在一家企業的打造上，忽略了整個配套產業的培育。

　　“最好是在產業鏈的各個環節都有布局，一流或者準一流的fabless設計公司，一流或者準一流的Foundry廠，一流或者準一流的封測廠，一流或者準一流的系統廠商，市場就會誕生出具備全球競爭力的玩家。”武岳峰資本副總裁許偉建議。