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大聯大友尚集團推出ST新款高性能功率MOSFET

2016-01-05
關鍵詞: 大聯大 ST MOSFET STMDmeshM2

       2016年1月5日,致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下友尚推出ST  MDmesh? M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。該系列MOSFET能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費性電子產品電源提供業界最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果特別顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕松達到日益嚴苛的能效目標要求。

       新款600V MDmesh M2 EP產品整合ST經市場驗證的條形布局(strip layout)和全新進化的垂直結構與優化的擴散制程(diffusion process),擁有優秀的開關設計,包括極低的導通電阻和關機開關損耗,是特別為超頻功率轉換器(f> 150 kHz)專門設計,為要求最嚴苛的電源供應器(PSU,Power Supply Unit)的理想選擇。

圖片1.png

              圖示1-大聯大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

       硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如LLC諧振,新器件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除MDmesh M2產品的閘極電荷(Qg)極低外,M2 EP產品的關機能耗(Eoff )還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關機損耗同樣降低20%。在低電流范圍內降低Eoff損耗,有助于提高低負載能效,進而協助電源廠商順利達成日益嚴苛的能效認證要求。

       升級后的關機波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效、降低噪聲,每周期回收再利用更多電能,而不是以散熱的形式浪費掉。

       新款MDmesh M2 EP系列的主要特性:

· 極低的閘極電荷(Qg低至16 nC)

· 針對輕負載條件優化電容曲線(capacitance profile)

· 針對軟件開關優化Vth和Rg參數

· 穩健的本體二極管(body diode)

       MDmesh M2 EP系列鎖定需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247),所有產品均已量產。

 

 


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