橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)與Carnot STAR(研究應(yīng)用科技)協(xié)會(huì)成員，法國(guó)普羅旺斯材料、微電子和納米電子研究院(包括IM2NP–CNRS / 艾克斯-馬賽大學(xué) / 土倫大學(xué) / ISEN高等電子與數(shù)字技術(shù)學(xué)院)宣布正式啟用其新設(shè)立的聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。雙方有著多年的密切合作經(jīng)驗(yàn)，希望可以憑借多項(xiàng)聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目，開發(fā)下一代高可靠性超微(Ultra-miniaturized)電子元器件。
輻射效應(yīng)與電氣可靠性(REER, Radiation Effects and Electrical Reliability)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室是一個(gè)跨地區(qū)的研究機(jī)構(gòu)，匯集馬賽、土倫兩個(gè)城市的IM2NP研究人員及位于格勒諾布爾(Grenoble)附近的意法半導(dǎo)體Crolles實(shí)驗(yàn)室的技術(shù)專家。
REER聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的科學(xué)項(xiàng)目將主攻兩個(gè)研究領(lǐng)域：輻射對(duì)納米級(jí)數(shù)字電路的影響，以及納米級(jí)互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體(CMOS, Complementary Metal-oxide Semiconductor)技術(shù)的電氣可靠性。這兩個(gè)研究方向?qū)τ谝夥ò雽?dǎo)體及其能否研發(fā)可靠性極高的集成電路至關(guān)重要。汽車、網(wǎng)絡(luò)、醫(yī)療、航天和安保等應(yīng)用對(duì)集成電路的可靠性有非常高的要求。
在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，電子元器件本身具有一些先天限制(包括電場(chǎng)、機(jī)械應(yīng)力、溫度等)和特定環(huán)境限制(特別是自然或人造輻射源的粒子輻射)，是當(dāng)今集成電路及下一代集成電路面臨的日益嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。
為預(yù)測(cè)并減弱輻射效應(yīng)，半導(dǎo)體工業(yè)需要對(duì)這些現(xiàn)象進(jìn)行表征、建模和仿真，而如何有效降低輻射效應(yīng)是新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的主要研究目標(biāo)之一。
此外，開發(fā)下一代納米電子技術(shù)必須解決諸多挑戰(zhàn)和障礙，設(shè)計(jì)人員必須更清楚地了解在集成電路制造工藝中，每一道工序可能會(huì)面臨的問(wèn)題。聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的研究范圍從原子級(jí)最重要的現(xiàn)象，到系統(tǒng)、材料、芯片物理性質(zhì)以及抗輻射電路設(shè)計(jì)。
這些研發(fā)項(xiàng)目將具有全球性的競(jìng)爭(zhēng)力，主攻最先進(jìn)的微電子技術(shù)，例如28納米及以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，特別是意法半導(dǎo)體在Crolles開發(fā)的FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)制造工藝，這讓意法半導(dǎo)體成為全球第一個(gè)開發(fā)出最具創(chuàng)新性的世界領(lǐng)先的納米級(jí)集成電路。
在開業(yè)不久后，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室便受邀參加法國(guó)企業(yè)局(DGE, Directorate for Enterprises)、法國(guó)國(guó)際采購(gòu)局(DGA, French defense procurement agency)主導(dǎo)的ENIAC行動(dòng)與支持計(jì)劃的歐洲CATRENE集群計(jì)劃(European CATRENE cluster)，參與多項(xiàng)法國(guó)國(guó)家級(jí)、歐洲和國(guó)際合作計(jì)劃項(xiàng)目。今后五年，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室預(yù)計(jì)將安排高水平博士研究人員，主要參與在法國(guó)政府工業(yè)研究培訓(xùn)協(xié)議(CIFRE, industrial agreement for training through research)計(jì)劃資助的國(guó)家與民間企業(yè)合作研究活動(dòng)。