感光耦合元件（Charge Coupled Device；CCD）影像傳感器近年雖被互補性氧化金屬半導體（Complementary Metal-Oxide Semiconductor；CMOS）搶盡鋒頭，卻仍是天文儀器與光譜儀應用首選，預料未來有望提升在一般性中階市場與利基市場的應用規模。
據Photonics Spectra網站報導，過去數十年，CCD影像感測元件逐漸被CMOS元件取代，后者已成為手機相機、監控系統等應用的主流選擇。CCD感光元件敏感度高、讀出雜訊（readout noise）少，也因此主導感光元件產業30余年。
然而，由于CMOS感光元件技術近年大幅升級，強化解析度、讀出速度，降低雜訊、價格下降等優勢，導致許多感光元件市場區塊從CCD轉移至CMOS，包括生命科學、消費市場以及監控設備等等。
BAE Systems、CMOSIS、Sony等公司紛紛砸下重金投資CMOS技術，并大力行銷，現在已有許多4 MP以上、超過50 fps，而電子讀出雜訊少的感光元件。不過，CCD并非毫無用武之地，CCD技術在要求高敏感度與長時間曝光的應用環境下，無非是最佳選擇。
例如活體分子影像（in vivo imaging）仰賴微弱的熒光訊號，曝光時間達數分鐘甚至數小時，便適合使用CCD感光元件。同樣的，需要長時間曝光的天文應用，例如觀星也以CCD技 術為佳。隨著CCD售價持續下降、效能卻不變的情況下，可望成為中階市場熱門應用。
若要回應目前市場需求，CCD傳感器得改善更大波長范圍下的敏感度。傳統CCD傳感器對于1，100nm以上波長缺乏敏感度，使其無法運用于短波紅外線（SWIR）鏡頭上。
不過，最新InGaAs傳感器使用與CMOS傳感器類似的讀出原理，在徹底冷卻的情況下，可增強1，100 nm以上波長的量子效率（quantum efficiency）、減少干涉現象（etaloning），提升讀出速度及敏感度。
另外，近年業界亦有號稱敏感度最佳的電子倍增（Electron Multiplication；EM）結構CCD元件技術，簡稱EMCCD。像是e2v Technologies、德儀（TI）等廠商都推出速度更快、且能提供亞電子（sub-electron）讀出雜訊性能的傳感器，而安森美半導體（ON Semiconductor）也研發出新型高解析度EMCCD傳感器。
Princeton Instruments近期推出一款高速EMCCD相機，EMCCD傳感器透過影像增強器（image intensifier），更可改善線性化（linearity）并具單一光子（photon）敏感度，成像速度高達10，000fps。不過，盡管這樣 的EMCCD具單一光子敏感度，在全解析度之下仍比不上CMOS感光元件的畫面更新率。
光譜儀業者Horiba Scientific發現，過去光學與成像技術利基市場的需求漸漸增加，目前已在許多領域成為標準。Horiba Scientific經理指出，過去常用來作為研究工具與方法的技術，現在已有較一般性的用途，例如品質控管等等。
由 于高效率偵測的需求愈來愈大，也愈來愈多人采CCD提供的多工陣列偵查（multiplexing array detection）取代傳統的單管道偵測器（single-channel detector），廠商也挹注大量資源改善動態范圍（intrascenic dynamic range）技術，成為CCD傳感器發展的驅力之一。
而若客戶要求加快讀取時間又不犧牲敏感度，則可采用時間延滯集成（TDI） CCD傳感器，這是較早期的CMOS傳感器版本無法取代的CCD關鍵技術。
TDI技術常見于產業與遠端感測應用，可在高速成像的條件之下提升訊雜比（Signal-to-Noise Ratio；SNR）。TDI傳感器可將不同時間分點的感光訊號集成起來，以達最佳雜訊效能。
不同廠商用不同方式整合TDI技術與CMOS，有的廠商直接整合CCD光感測元件（photosite）與CMOS影像傳感器，而也有廠商會將CCD光感測元件與CMOS讀出芯片制程分開，再將CCD與CMOS用3D-IC技術串接起來。
目前，推動CCD感光元件技術應用的市場區塊，包括光譜儀（spectroscopy）、超光譜成像（hyperspectral Imaging）、生醫成像（biomedical imaging）、顯微鏡、天文學、量子成像（quantum imaging）、X-ray成像、機器視覺（machine vision）等應用。
綜言之，CCD傳感器仍坐穩光譜儀與影像研究應用等優勢，而雖然相機市場風向轉移至CMOS，但是隨CCD制作成本降低、技術提升，可望打進一般性中階市場與利基市場。