上海和舊金山2015年7月9日電 /美通社/ -- 中微半導體設備有限公司（簡稱“中微”）宣布 Primo SSC AD-RIE?（中微單反應臺等離子體刻蝕設備）已交付韓國領先的存儲器制造商。Primo SSC AD-RIE?是中微公司目前最先進的介質(zhì)刻蝕設備，可用于1X納米關鍵刻蝕工藝芯片加工。在此之前，中微的 Primo SSC AD-RIE?已在南韓的16納米最關鍵的刻蝕步驟上實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。這臺交付的設備將在客戶最先進工藝的3D VNAND試生產(chǎn)線上投入運行。

       移動電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展、以及大數(shù)據(jù)、社交傳媒的廣泛應用，使得人們對存儲器的存儲容量和讀取速度提出了更高的要求。當前一代的 2D NAND 工藝很快將無法滿足不斷升級的需求。3D VNAND 代表了下一代前沿工藝，中微的客戶正是技術進步的領跑者。像存儲故障、光刻圖案技術的局限性等問題使在 2D NAND 工藝層面很難繼續(xù)向下一代工藝節(jié)點過渡，3D VNAND 則能解決這一難題。3D VNAND 帶來的好處還包括提高存儲容量和讀取速度，提升功率效能和可靠性，并降低生產(chǎn)成本。

       “認識到 3D VNAND 閃存技術是存儲工藝的未來，我們在研發(fā)上投入了大量的人力和物力，與客戶緊密合作，開發(fā)用于這種高端制程工藝所必需的刻蝕技術。”中微副總裁兼存儲及邏輯產(chǎn)品關鍵客戶大區(qū)總經(jīng)理KI Yoon說道，“能夠在這家領先客戶的 3D VNAND 試生產(chǎn)線上占有一席之地是對我們長期努力的肯定。另外，在這個只有少數(shù)一線刻蝕設備供應商高度競爭的領域，我們相信，我們的工藝質(zhì)量和面對嚴峻技術挑戰(zhàn)的快速反應能力使我們贏得了訂單。我們很高興也很自豪，能夠為這一重要客戶開發(fā)這項工藝。”

       Primo SSC AD-RIE 是采用高抽速，低壓，高能脈沖等離子體的手段為高深寬比刻蝕而開發(fā)的產(chǎn)品。這是中微 Primo 刻蝕產(chǎn)品家族中的最新一代產(chǎn)品。像中微其他所有刻蝕設備一樣，Primo SSC AD-RIE 具備先進的技術水平、超高的生產(chǎn)效率和較低的生產(chǎn)成本。

       中微高管將參加下周（7月14日至16日）在美國舊金山舉辦的美國半導體設備和材料展覽會 SEMICON West。一年一度的 SEMICON West 展會是全球半導體設備行業(yè)精英的重要盛會。

關于中微半導體設備有限公司

       中微公司致力于為全球半導體和 LED 芯片制造商提供領先的工藝技術解決方案。公司等離子體刻蝕設備和硅通孔刻蝕設備已廣泛應用于國際一線集成電路客戶45納米到1X納米及更先進的芯片加工制造等。目前，中微已有約400個刻蝕反應機臺在亞洲地區(qū)30多條國際領先的生產(chǎn)線上運行。中微開發(fā)的用于大批量 LED 外延片生產(chǎn)的MOCVD 設備也已進入生產(chǎn)線運行。