6月27日據手機達人Kjuma曝光，驍龍820首次出現在Geekbench3內部，根據郵件曝光來看，高通驍龍820測試跑分結果，單線程1732分，多線程為497。
高通驍龍820采用雙核二從集架構，即之前曝光的2+2的kryo架構。高通驍龍820將會由三星代工，采用最新的14nm FinFEF制程工藝。制程工藝的提升最明顯的作用就是降低了功耗，讓之前高通810的發熱問題得到解決。如果順利的話，今年下半年就能看到搭載驍龍 820的手機了。
與驍龍810相比，驍龍820可謂脫胎換骨了，高通放棄了ARM架構設計，將采用自主研發的64位Kryo內核(Zeroth技 術平臺)，主頻最高可達3.0GHz.顯然高通對自己的架構更加熟悉。高通還表示，Zeroth還具備預測行為以及智能識別等功能，因此，搭載驍龍820 的手機將會更加智能。
消息人還透露，今年高通驍龍820將在11月份量產，明年1月上市。
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