高通(Qualcomm)與羅德史瓦茲(Rohde & Schwarz)攜手展出一系列新晶片組與處理器，其中包括上行載波聚合商用數(shù)據(jù)機晶片、Cat. 9商用裝置、與具備Cat. 6下行傳輸速度，并配備X8長程演進計畫(LTE)數(shù)據(jù)機晶片的Snapdragon 425處理器。

　　透過與高通的密切合作，R&S率先以進階長程演進計畫(LTE-A)三個下行元件載波聚合的連線，在北京Redefining Connectivity活動與臺灣COMPUTEX展覽期間，成功展示下一代Qualcomm Snapdragon LTE數(shù)據(jù)機晶片組的效能；搭配展出的R&S測試配置包含兩臺R&S CMW500寬頻無線通訊測試儀與R&S CMWC Multi-CMW控制器。

　　展出項目包括Snapdragon X12 LTE數(shù)據(jù)機晶片的上行載波聚合，以UL/DL configuration 1呈現(xiàn)兩倍的LTE分時多工(TDD)上傳速度，R&S CMW500在此展示中被用以作為eNode B模擬器，增強型上行傳輸量將可更快速分享高品質(zhì)照片與影音視頻，并加速云端空間檔案上傳的速度。

　　另外亦展示配備X10 LTE數(shù)據(jù)機晶片的Snapdragon 810處理器于Cat. 9 LTE-A三個下行元件載波聚合的連線，其LTE TDD下載速度峰值可達320Mbit/s；R&S CMW500于此展示中提供真實網(wǎng)路連線。

　　而配備X8 LTE數(shù)據(jù)機晶片的Snapdragon 425處理器于Cat. 6 LTE-A兩個元件載波聚合的連線，可達300Mbit/s，相當(dāng)于兩倍的LTE下載速度，將為大容量行動裝置帶來更高品質(zhì)的傳輸效能。