住友電氣工業(yè)（住友電工）將涉足SiC功率元件業(yè)務(wù)。該公司將利用通過日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的“Tsukuba Power-Electronics Constellations（TPEC）”試產(chǎn)線確立的量產(chǎn)制造技術(shù)開展業(yè)務(wù)。業(yè)務(wù)開始的具體時間未定，不過該公司預(yù)計SiC功率元件市場到2020年左右將形成規(guī)模，所以“將在此之前啟動業(yè)務(wù)”。住友電工此前已試制出SiC功率元件和功率模塊等，并在學(xué)會及展會等場合進(jìn)行了展示，但當(dāng)時沒有明確是否開展商業(yè)化運(yùn)作。

　　住友電工的SiC功率元件的特點(diǎn)是在柵極部分挖V字型溝道的MOSFET。在柵極部分挖溝的普通溝道型MOSFET，溝道側(cè)面與元件表面垂直，而住友電氣工業(yè)的試制品是V字型溝道，溝道側(cè)面與元件表面斜交。通過V字型溝道，可以形成缺陷少的氧化膜界面，能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻。比如，耐壓1200V產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了2.0mΩcm2的低導(dǎo)通電阻。電流值為50A。

　　由于缺陷少，閾值電壓的變動也很小。在175℃、1000小時內(nèi)，閾值電壓變動量在0.12V以下。

　　住友電工在2015年5月舉行的功率半導(dǎo)體國際會議“第27屆International Symposium on Power Semiconductor Device & ICs（ISPSD）”上發(fā)布了具有上述特性的SiC MOSFET。這是利用口徑6英寸的SiC基板制成的。芯片尺寸為3mm見方。

　　另外，發(fā)布者獲得了ISPSD的年輕人最優(yōu)秀獎（Charitat Award）。