力晶成功轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，更瞄準物聯(lián)網(wǎng)(IoT)商機推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲器(eFlash)、ARM架構處理器芯片和通訊技術成為SoC整合型芯片，預計下半年出貨，全面擁抱物聯(lián)網(wǎng)時代來臨。

       力晶現(xiàn)在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產(chǎn)品對力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續(xù)替臺系IC設計公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片，以及協(xié)助存儲器模組大廠金士頓(Kingston)代工標準型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經(jīng)全面擁抱晶圓代工產(chǎn)品線。

       有別于一般晶圓代工廠只專注于生產(chǎn)制造而不涉及設計，力晶比較像是整合元件廠(IDM)，同時有設計和制造兩個部分，旗下包括面板驅(qū)動芯片、電源管理芯片、影像感測器(CIS)、NFC芯片、車用存儲器、物聯(lián)網(wǎng)芯片等，可為客戶量身訂作客制化芯片，也可以直接提供整合型芯片給客戶采購。 

       迎接物聯(lián)網(wǎng)時代，臺積電、聯(lián)電、中芯國際半導體等陸續(xù)揭橥布局計劃，從打造技術平臺、制程完整度，到扮演伯樂物色具有潛力的新創(chuàng)公司都是目標。力晶也是默默鴨子滑水，集結(jié)旗下制程平臺的技術優(yōu)勢，為物聯(lián)網(wǎng)打造專用的iRAM芯片，成果有機會在2015年浮上臺面。

       所謂的iRAM芯片，是集合物聯(lián)網(wǎng)所需要的三大技術優(yōu)勢，分別為低功耗的ARM架構處理器芯片、嵌入式快閃存儲器(eFlash)，以及Bluetooth 4.0/NFC/Wi-Fi通訊芯片，將這三種技術做成一顆整合型芯片，目前研發(fā)進度順利，傳出下半年會進入量產(chǎn)。

       物聯(lián)網(wǎng)相關芯片極重視低功耗，因此采用ARM架構處理器芯片，臺積電、聯(lián)電、中芯國際等也打造超低功耗制程平臺(Ultra-Low Power Platform)，但屬于特殊制程的eFlash技術的重要性，在物聯(lián)網(wǎng)時代，其實不亞于低功耗扮演的角色。

       半導體業(yè)者分析，多數(shù)半導體晶圓代工廠在eFlash技術上都不夠扎實，尤其是新崛起的大陸半導體廠eFlash技術實力都不夠，即使是授權自SST等IP業(yè)者以快速取得eFlash技術，也可能因為量產(chǎn)的晶圓片數(shù)不夠面臨技術瓶頸，未來需要更多的量產(chǎn)經(jīng)驗來證明技術的可行性。

       力晶因為一直有NAND Flash芯片產(chǎn)品，因此在整合eFlash技術上已經(jīng)有一定的基礎，在進入此技術領域上相當順利。

       力晶靠著從存儲器廠轉(zhuǎn)型為晶圓代工廠，2014年獲利超過新臺幣100億元，2015年獲利達新臺幣120億~130億元，2016年預計也將獲利超過百億元，創(chuàng)下獲利連續(xù)3年超過百億元的紀錄，日前向銀行團籌組新臺幣150億元的貸款，借此終結(jié)長期紓困。 

       DRAM產(chǎn)業(yè)已經(jīng)走向穩(wěn)定期，價格起伏有限，經(jīng)歷近期價格修正后，下半年DRAM價格會逐漸趨于穩(wěn)定，尤其2015年預計有三星電子(Samsung Electronics)Galaxy S6和蘋果(Apple)的iPhone 6S系列新機問世，將會轉(zhuǎn)用3GB和2GB的Mobile DRAM芯片，也帶動許多標準型DRAM芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)到Mobile DRAM芯片上，帶動標準型DRAM芯片跌勢趨緩。

       另外，力晶的NAND Flash芯片持續(xù)出貨，臺系存儲器廠陸

       續(xù)切入低容量的NAND Flash領域，力晶和華邦、旺宏三家臺廠成為臺灣NAND Flash芯片三劍客，力晶也提供NAND Flash芯片給客戶做成MCP芯片，主打智能型手機市場。