SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細(xì)制程DRAM、三階儲(chǔ)存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬碟(SSD)等優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。較弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測(cè)器(CMOS Image Sensor;CIS)。

　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，日前SK海力士社長(zhǎng)樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績(jī)紀(jì)錄之際，反而在組織內(nèi)部強(qiáng)調(diào)危機(jī)意識(shí)，透過員工電子郵件與公司內(nèi)部電視等管道，不斷提醒現(xiàn)在不是放心的時(shí)刻，應(yīng)透過強(qiáng)化根本競(jìng)爭(zhēng)力，建立不會(huì)輕易被市場(chǎng)動(dòng)搖的SK海力士獨(dú)家優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。

　　SK海力士2015年的事業(yè)方向也與樸星昱的論點(diǎn)結(jié)合，比起在全新領(lǐng)域投資發(fā)發(fā)事業(yè)，更致力于提升公司固有的基礎(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)力。

　　首先在DRAM領(lǐng)域，SK海力士為全球第二大DRAM業(yè)者，市占率27.3%，僅次于三星電子(Samsung Electronics)的40.0%。而2015年以提升市占率為主要目標(biāo)，致力于提升制程技術(shù)以增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力。

　　因此正全力實(shí)現(xiàn)20納米制程量產(chǎn)技術(shù)，預(yù)定在上半年正式應(yīng)用于生產(chǎn)DRAM;在市場(chǎng)高速成長(zhǎng)的Mobile DRAM領(lǐng)域，也將積極推出低功耗(LP)DDR4產(chǎn)品，以吸引高階市場(chǎng)客戶。

　　NAND Flash方面，SK海力士以上半年正式量產(chǎn)TLC產(chǎn)品為首要課題，同時(shí)也致力于擴(kuò)大供應(yīng)SSD等解決方案，以提高收益性。SK海力士的DRAM部門雖然 位列全球第二名，但在NAND Flash上卻屈居第五，市占率僅約10%，因此推升排名也被SK海力士視為2015年的優(yōu)先課題之一。

　　而相對(duì)弱勢(shì)的系統(tǒng)芯片部門，則以發(fā)展CIS為重點(diǎn)。SK海力士自2007年開始開發(fā)CIS，2015年計(jì)劃推出高畫素等級(jí)產(chǎn)品，目標(biāo)是在年底前創(chuàng)造出可見的成果。

　　據(jù)了解，SK海力士對(duì)于高附加價(jià)值產(chǎn)品，如應(yīng)用處理器(AP)或是電力半導(dǎo)體等領(lǐng)域，并沒有正式的發(fā)展計(jì)劃。公司有關(guān)人士表示，系統(tǒng)芯片的項(xiàng)目多樣，也是終究要培養(yǎng)的領(lǐng)域，不過短期內(nèi)將會(huì)集中發(fā)展市場(chǎng)成長(zhǎng)性佳、且公司有把握做好的領(lǐng)域。

　　業(yè)界人士表示，半導(dǎo)體事業(yè)的特性正是成敗在一念之間，可能因一個(gè)對(duì)的決定奪得豐碩戰(zhàn)果，也可能因一次的錯(cuò)誤投資就遭遇巨大虧損。SK海力士尤其需要策略善用現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)，以存儲(chǔ)器為中心擴(kuò)大市占率并壓制海外競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者。