英飛凌和松下日前簽署一項合作，聯(lián)合開發(fā)GaN器件，該產品是基于松下的增強型GaN材料技術與英飛凌的SMD封裝技術相結合。
日前，公司將率先推出600V 70mΩ的樣片，采用DSO封裝。
作為下一代重要的半導體技術，GaN越來越受到重視，主要特點是具備高功率密度小尺寸的特點，另一點則是提高能源效率的一大關鍵。
一般來說，基于硅上GaN技術的電力設備可用于廣泛的領域，從高電壓的工業(yè)應用，如服務器電源到DC-DC轉換的低電壓應用等。
IHS預測，GaN功率器件相關市場年復合增長率將超過50%，從如今的1500萬美元至2023年的8億美元。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。