荷商微影設備大廠ASML在2012年提出的“客戶聯合投資專案”(Customer Co-Investment Program)，廣邀臺積電、英特爾(Intel)和三星電子(Samsung Electronics) 三家半導體大廠投資入股研發18寸晶圓(450mm)機臺和極紫外光(EUV)機臺，不過，現在整個半導體產業鏈對于18寸晶圓世代的來臨已無急迫需求， 研發資金會以12寸晶圓(300mm)的EUV機臺為主，18寸晶圓計劃已緊急踩煞車。

　　荷商微影設備大廠ASML在全球微影設備的市占率高達80%，也是全球唯一有能力量產EUV機臺的半導體設備供應商，主要的競爭對手日廠尼康(Nikon)和佳能(Canon)都不是對手，因此，ASML身上也肩負著延續摩爾定律的使命。

　　ASML為了延續半導體制程演進和生產成本的逐漸下降，2012年發起的“客戶聯合投資專案”獲得英特爾、三星電子、臺積電入股投資，當時的研發分為兩個部分，一是EUV機臺設備，另一是450mm機臺設備。

　　但從2014年起，陸續傳出英特爾等針對旗下的450mm計劃喊停，臺積電也宣布投資ASML的階段性任務已經結束，已經預售手上的ASML持股，2015年可認列210億元獲利。

　　ASML表示，現階段半導體產業暫時不需要18寸晶圓世代，當初三大半導體針對18寸晶圓的投資，會陸續轉去研發12寸晶圓(300mm)的EUV機臺，將EUV機臺技術做到盡善盡美，達到生產效率高且精準的目標。

　　半導體業者認為，18寸晶圓世代的來臨，當初各方都不看好，因為整個半導體產業的投資金額太大，設備廠也不愿意投入研發，即使投入后，也根本沒幾個客戶會買單，連英特爾、三星、臺積電這3家一定會蓋18寸晶圓廠的客戶到最后也是躊躇不前。

　　目前ASML把所有資源放在EUV技術研發上，根據ASML表示，半導體的Lithography和微影疊對量測技術(Overlay Metrology)上，在28納米制程分別為6道和7道、20納米制程為8道和9道、10納米的Lithography步驟高達23道，而 Overlay Metrology步驟有36~40道。

　　7納米的Lithography步驟更是達34道、Overlay Metrology步驟為59~65道，但若是用EUV生產7納米制程，Lithography和Overlay Metrology技術只需要分別9道和12道。

　　原本ASML的EUV機臺因為每小時生產晶圓片數量未達目標，導致成本墊高，但日前半導體產業舉行的SPIE先進微影論壇中，臺積電對外宣布ASML的NXE:3300B型號EUV機臺，已經達到單日曝光超過1，000片晶圓的目標，再次刷新紀錄。

　　臺積電目前已經安裝2臺NXE:3300B的EUV系統，另有2臺新一代EUV系統NXE:3350B將于2015年完成出貨，而原先已安裝的2臺NXE:3300B也將升級到NXE:3350B效能。

　　這個突破讓臺積電對于EUV效能感到放心，目標是在2016年底前達到單日曝光1，500片晶圓的目標，對于邏輯制程走到10納米和7納米、記憶體DRAM技術走到15納米制程深具信心。

　　ASML目前在臺灣的半導體客戶包括臺積電、聯電、南亞科、華亞科、華邦、旺宏、瑞晶(現為臺灣美光)等，大陸客戶包括中芯國際等。

　　由于有EUV機臺助陣，大客戶臺積電已經表示生產效率大為突破，因此ASML有信心2020年營運達到100億歐元，屆時EUV機臺會占營收超過50%