意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝柵式場截止技術(shù)(trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器(solar inverters)、電焊機(welding equipment)、不間斷電源(uninterruptible power supplies) 與工業(yè)電機驅(qū)動器等多項目標(biāo)應(yīng)用的能效和可靠性。
高度優(yōu)化的導(dǎo)通性和關(guān)斷性以及低導(dǎo)通損耗(low turn-on loss)，讓全新的改進型IGBT特別適用于執(zhí)行工作頻率高達20kHz的硬開關(guān)電路(hard-switching circuit)；最高工作溫度提高至175°C，寬安全工作范圍(SOA, safe operating area)無閉鎖效應(yīng)(latch-up free)，150°C 時的短路耐受時間(short-circuit withstand time) 為10µs，這些特性確保新產(chǎn)品在惡劣的外部電氣環(huán)境中具有更高的可靠性。
新產(chǎn)品所用的第三代技術(shù)包括新的先進的溝柵結(jié)構(gòu)設(shè)計和優(yōu)化的高壓IGBT架構(gòu)，可以最大限度地降低電壓過沖(voltage overshoot)，消除關(guān)斷期間出現(xiàn)的振蕩現(xiàn)象(oscillation)，有效降低電能損耗，簡化電路設(shè)計。與此同時，低飽和電壓(Vce(sat))可確保新產(chǎn)品具有很高的導(dǎo)通能效。正溫度系數(shù)和窄飽和電壓范圍可簡化新產(chǎn)品并聯(lián)設(shè)計，有助于提高功率處理能力。
新產(chǎn)品還受益于提升的導(dǎo)通能效。此外，新產(chǎn)品與IGBT反向并聯(lián) (anti-parallel)的新一代二極管一同封裝，具有快速的恢復(fù)時間和增強的恢復(fù)軟度特性，且導(dǎo)通損耗沒有明顯上升，進而實現(xiàn)更出色的EMI性能表現(xiàn)。
40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝，STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產(chǎn)品采用TO-247長引腳封裝，目前均已開始量產(chǎn)。
欲了解更多詳情，請瀏覽：www.st.com/igbt
關(guān)于意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics; ST) 是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，為客戶提供傳感器、功率器件、汽車產(chǎn)品和嵌入式處理器解決方案。從能源管理和節(jié)能技術(shù)，到數(shù)字信任和數(shù)據(jù)安全，從醫(yī)療健身設(shè)備，到智能消費電子，從家電、汽車，到辦公設(shè)備，從工作到娛樂，意法半導(dǎo)體的微電子器件無所不在，在豐富人們的生活方面發(fā)揮著積極、創(chuàng)新的作用。意法半導(dǎo)體代表著科技引領(lǐng)智能生活 (life.augmented) 的理念。
意法半導(dǎo)體2013年凈收入80.8億美元。詳情請訪問公司網(wǎng)站www.st.com。