全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFETMOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產(chǎn)品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅(qū)動從12Vgs起，非常適合包含了兩個串聯(lián)電池的電池保護電路。IRL6297SD在精密且能高效散熱的小罐式DirectFET封裝內(nèi)提供兩個采用共漏極配置的20VN通道MOSFET。
IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR擁有適合電池管理的廣泛的MOSFET產(chǎn)品系列，提供行業(yè)標準封裝以及適合精密設計的小罐式雙DirectFET封裝。新器件具有低導通電阻，可替代采用較大封裝的MOSFET，從而節(jié)省電路板空間及系統(tǒng)成本。”
所有新產(chǎn)品均不含鉛、溴和鹵，符合第一級濕度敏感度標準(MSL1)及電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)。
規(guī)格
|
器件 |
通道類型 |
配置 |
封裝 |
VBRDSS |
最大VGS |
4.5V下的
最大導通電阻 |
2.5V下的
最大導通電阻 |
典型QG |
|
IRL6297SD |
N |
雙共漏極 |
DirectFET SA |
20 |
12 |
4.9 |
6.9 |
54 |
|
IRLML2246 |
P |
單 |
SOT-23 |
-20 |
12 |
-135 |
-236 |
2.9 |
|
IRLML2244 |
P |
單 |
SOT-23 |
-20 |
12 |
-54 |
-95 |
6.9 |
|
IRLML6244 |
N |
單 |
SOT-23 |
20 |
12 |
21 |
27 |
8.9 |
|
IRLML6246 |
N |
單 |
SOT-23 |
20 |
12 |
46 |
66 |
3.5 |
|
IRLML6344 |
N |
單 |
SOT-23 |
30 |
12 |
29 |
37 |
6.8 |
|
IRLML6346 |
N |
單 |
SOT-23 |
30 |
12 |
63 |
80 |
2.9 |
|
IRLHS2242 |
P |
單 |
PQFN 2x2 |
-20 |
12 |
-31 |
-53 |
12 |
|
IRLHS6242 |
N |
單 |
PQFN 2x2 |
20 |
12 |
11.7 |
15.5 |
14 |
|
IRLHS6276 |
N |
雙獨立 |
PQFN 2x2 |
20 |
12 |
45 |
62 |
3.1 |
|
IRLHS6342 |
N |
單 |
PQFN 2x2 |
30 |
12 |
15.5 |
19.5 |
11 |
|
IRLHS6376 |
N |
雙獨立 |
PQFN 2x2 |
30 |
12 |
|
82 |
2.8 |
|
IRLTS2242 |
P |
單 |
TSOP-6 |
-20 |
12 |
-32 |
-55 |
12 |
|
IRLTS6342 |
N |
單 |
TSOP-6 |
30 |
12 |
17.5 |
22 |
11 |
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選型工具，請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com。