Vishay的新款12V芯片級(jí)MOSFET可有效降低超便攜產(chǎn)品的功耗
2014-10-23
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布有助于在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦中減少功耗并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間的新款功率MOSFET---Si8457DB。新的芯片級(jí)MICRO FOOT®P溝道Si8457DB在1.8V柵極驅(qū)動(dòng)下具有1.6mm x 1.6mm占位的MOSFET當(dāng)中最低的導(dǎo)通電阻，也是唯一VGS 達(dá)到±8V的此類器件，為鋰離子電池供電的應(yīng)用提供了額外的安全裕量。
Si8457DB可在電源管理應(yīng)用中用作電池開關(guān)和負(fù)載開關(guān)，在4.5V、2.5V和1.8V下的導(dǎo)通電阻分別為19mΩ、23.4mΩ和35mΩ。與采用DFN 1.6mm方形封裝的最接近器件相比，該器件的1.8V導(dǎo)通電壓減小了17%。器件可以在最低-1.8V下導(dǎo)通，加上±8V VGS，為大多數(shù)鋰離子電池供電的應(yīng)用提供了安全裕量、靈活的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)和高性能。
Si8457DB能夠在業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)如此性能，要?dú)w功于極低的單位面積導(dǎo)通電阻，使器件在節(jié)省空間的同時(shí)還能夠降低移動(dòng)應(yīng)用的電池功耗。器件的低導(dǎo)通電阻意味著在直流電壓和脈沖峰值電流下的壓降非常低，以熱的形式浪費(fèi)掉的電能更少。器件可在-1.8V下導(dǎo)通，簡(jiǎn)化了諸如適應(yīng)低電池電壓或IC負(fù)載拉低柵源電壓等情況的設(shè)計(jì)工作。
Si8457DB是移動(dòng)電源管理的高效負(fù)載開關(guān)中的關(guān)鍵組成模塊。作為P溝道MOSFET，Si8457DB具有明顯的優(yōu)勢(shì)，在電路里不需要電荷泵就能夠開啟導(dǎo)通，能直接與各種電源里的大量電源管理和控制IC配合工作。