GLOBALFOUNDRIES和ARM 今天宣布已簽訂了一份多年期協議，旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的ARM 處理器設計提供優化的系統級芯片(SoC) 解決方案。該協議將進一步拓展雙方長期合作關系，并將合作領域擴展到在移動設備中重要性逐漸提高的圖像處理器元件。作為協議的一部分，ARM 將開發一個包括標準單元、邏輯電路、內存編譯器和處理器優化包(POP™) IP 解決方案在內的ARM® Artisan® 物理IP 的完整平臺。此次合作將有助于將包括智能手機、平板電腦和超薄筆記本在內的一系列移動應用的系統性能和電源效率提升到一個新的水平。

在共同優化ARM® Cortex™-A 系列處理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已經積累了多年合作經驗。其中不僅包括28納米工藝上已經在性能與功效方面所展現的多項優勢，也包括美國紐約州馬爾他鎮的晶圓廠中正在生產的20 納米測試芯片。通過推動制造IP平臺的創新，新的協議進一步延續了此前的合作，從而令客戶能夠在20納米工藝平臺上進行設計，有助于客戶迅速轉移至三維FinFET 晶體管技術。對于ARM 下一代移動CPU 和GPU的用戶而言，這項共同開發則可加快SoC解決方案的上市時間。

GLOBALFOUNDRIES將為下一代高能效ARM Cortex™ 處理器和Mali™ GPU 技術開發優化實施和基準分析，加快客戶使用相應技術進行SoC設計的速度。GLOBALFOUNDRIES 20納米LPM、FinFET制成、POP IP 封裝的ARM Artisan實體IP完整平臺為SoC設計者提供一個基本建造架構。該平臺基于現有的Artisan 物理IP 平臺，適用于GLOBALFOUNDRIES的多個工藝，包括65 納米、55 納米、28 納米、以及目前可供授權的28 納米SLP Cortex-A9 POP技術。

ARM 執行副總裁兼處理器及物理IP 部門總經理Simon Segars 表示：“這次的初步合作促進了ARM 和GLOBALFOUNDRIES的技術在針對未來多個重要市場的SoC中的快速采用。同時，為手機、平板電腦和計算應用提供設計服務的客戶也將由于此次合作中的高能效ARM 處理器和圖形處理器而獲益匪淺。通過在下一代20納米LPM與FinFET工藝方面的積極合作，我們能夠確保為雙方的共同客戶提供一系列的實施選項，將先進半導體裝置的發展往前推進兩個世代。”

ARM POP 技術提供市場領先的性能、功耗和面積，加快了ARM Cortex-A 系列CPU 的內核強化。POP IP 封裝由三部分組成，它們是ARM內核優化實施的關鍵。首先，它涵蓋了Artisan 物理IP 標準單元、邏輯電路以及專門針對特定ARM 處理器和晶圓廠技術進行調整的內存緩存實例。其次，還同時提供全面的基準測試報告，用于記錄ARM 在涵蓋了一系列配置和設計目標的內核實施中所需要的精確條件和最終結果。最后，該封裝還包括了平面布局、腳本、設計工具和POP 實施指南在內的實施細則，具體說明了可供最終客戶以極低的風險快速實現相似結果的實施方法。

GLOBALFOUNDRIES 的20 納米LPM 技術是一個全面的經濟高效型平臺，可提供最高40% 的性能提升和兩倍于28 納米芯片的門密度。由于20 納米LPM技術可以實現一系列晶體管功能，它將用于滿足大容量細分市場中大范圍的功耗和性能點。通過將晶體管和金屬間距完全按比例縮小，所得到的20 納米LPM 器件將在成本和面積方面具有很大的競爭優勢，符合下一代設備的需求。

此次合作還拓展到了GLOBALFOUNDRIES基于FinFET 的工藝。通過早期的預先準備，雙方將共同優化物理IP 和工藝，以確保從20 納米LPM 的快速遷移。因此，此次合作將以前所未有的速度和更低的風險提供一系列實施方案。

GLOBALFOUNDRIES全球銷售與市場的高級副總裁Mike Noonen表示：“ARM技術已整合至全球許多產量最高的產品之中。相信在今后數年內，對于GLOBALFOUNDRIES客戶來說，其重要性都只會不斷提高。藉由我們的實施知識并將其應用于下一代高能效ARM 處理器和圖形處理器，我們相信雙方可以攜手為彼此的共同客戶提供顯著的差異化優勢，繼續引領下下兩代產品的創新。”

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