ARM與臺積電(TSMC)合作，針對FinFET制程技術(shù)優(yōu)化下一代64位ARM核心。這想必讓英特爾感覺頗為自得。

畢竟，這驗證了這家芯片巨擘的兩位高階主管──Paul Otellini(歐德寧) 和Brian Krzanich在投資者日(investor day)中所做的演說──英特爾領(lǐng)先最接近的代工競爭廠四年。

事實上，正如我的同事Peter Clarke在他的文章中所說的，臺灣的制造商和ARM之間的合作甚至無法預(yù)期2015下半年以前能夠量產(chǎn)，因此，這個賭注也可能過于樂觀。

此外，這個新聞也透露出ARM的服務(wù)器策略矛盾之處。

ARM曾多次表示，2014年將針對服務(wù)器市場推出重量級產(chǎn)品，而且將在兩到三年內(nèi)達到一定程度的市占率。但這次發(fā)布的新聞，卻無異于對之前所做的聲明澆了一大盆冷水。
 
依照ARM最新發(fā)布的新聞，至少要三年半，其采用FinFET技術(shù)的64位V8架構(gòu)才會就緒，而這將讓英特爾有更充裕的時間來發(fā)展技術(shù)，再度將競爭對手遠遠拋在后頭。

這個新發(fā)布的新聞還表示，臺積電很可能會在之前曾表示將針對第二代20nm制程之后，重新制定FinFET組件(三閘極, tri-gate)策略。實際上，這份新聞稿讀起來就像這家制造商不得不調(diào)整其次 20nm 計劃，但臺積電是否能輕易地跨越仍有待觀察。

“毫無疑問，根據(jù)目前的記錄，英特爾在 FinFET 部署方面將領(lǐng)先所有其他的公司，” Insight64 分析師 Nathan Brookwood 表示。

“他們采用 3D 晶體管的組件出貨量已經(jīng)達到數(shù)百萬顆之多了，但臺積電和 GlobalFoundries 仍堅持在 14nm 節(jié)點前不會采用該技術(shù)，因此就量產(chǎn)而言，英特爾至少領(lǐng)先了四年。我聽到一些消息，目前的情況是這兩家公司也打算加快該技術(shù)的發(fā)展。”

話雖如此，但Brookwood并不相信 ARM 會等待 FinFET 就緒，才開始將其64位架構(gòu)導(dǎo)入到服務(wù)器和客戶端設(shè)備中。這家英國的芯片設(shè)計業(yè)者已經(jīng)在去年發(fā)布了64位的ARM V8架構(gòu)，而 Applied Micro 也已經(jīng)向一些早期客戶推出基于FPGA的V8產(chǎn)品，預(yù)估今年稍晚還將推出 40nm ARMv8 SoC，2013年將再發(fā)布28nm版本。

“包括蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)、Marvell和Nvidia在內(nèi)的ARM架構(gòu)授權(quán)廠商們，如果在很短時間內(nèi)相繼轉(zhuǎn)移到采用28nm的64位架構(gòu)，我想我一點都不會感到驚訝，”Brookwood說。

他接著表示，在他看來， ARM 與臺積電此次發(fā)布的聲明，并不意味著64位ARM芯片必須等待 FinFET 技術(shù)，但它確實需要幾年的時間來開發(fā)實體IP，特別是臺積電和 GlobalFoundries 在發(fā)展 FinFET 時仍將面臨諸多設(shè)計約束。

對臺積電而言，將 FinFET 技術(shù)推進到 14nm 節(jié)點是一項驚人之舉。畢竟，晶圓廠要制造 FinFET 組件以前，首先要正確掌握high-k金屬閘極技術(shù)，但臺積電目前仍在奮力與英特爾和 Globalfoundries 競爭。
“就如同英特爾在本月初 Semicon West 上的演講所說的，每一世代的新制程技術(shù)，必然要以之前的技術(shù)為基礎(chǔ)，”Brookwood表示。

再確實不過了。現(xiàn)在，英特爾在FinFET發(fā)展競賽中領(lǐng)先所有競爭對手，也再度印證了這個說法。
 

編譯： Joy Teng
(參考原文： Intel vindicated by TSMC/ARM announcement ，by Sylvie Barak)