日本知名半導體制造商羅姆株式會社（總部位于日本京都市）開發出內置絕緣元件的柵極驅動器“BM6103FV-C”，最適合作為電動汽車（EV）和混合動力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅動元件。

本產品融合了羅姆獨創的BiCDMOS技術與新開發的片上變壓器工藝技術，作為內置了絕緣元件的柵極驅動器，是業界最小^※的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護功能和品質要求，可減少設計時的工作量。

不僅如此，還支持作為新一代功率半導體備受期待的SiC（Silicon carbide：碳化硅）的功率MOSFET的高速開關，非常有助于實現更加高效、更加低功耗的新一代電動汽車。

生產基地在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國），預計從2012年6月份開始銷售樣品（樣品價格：1,000日元），從2012年9月份開始以月產1萬個的規模投入量產。

※　根據羅姆的調查（截至2012年5月22日）

近年來，隨著EV和HEV的不斷普及，為了進一步提高性能，對動力單元的逆變器電路小型化的要求高漲。一方面，一般每個車載用逆變器內置6個柵極驅動器，為了實現逆變器電路的小型化，柵極驅動器的小型化勢在必行。此外，在車載特有的苛刻的驅動環境中，為實現確保安全性的逆變器電路，不僅需要各種保護功能，為了防止駕駛員觸電，作為絕緣元件必須配備光耦等外置零件。在這種情況下，對于內置絕緣元件、并且小型的柵極驅動器的需求日益高漲。

另一方面，有望內置于新一代EV/HEV的SiC元件用于逆變器電路時，解決其高速開關性能所導致的噪音也已成為重大課題。   

此次羅姆采用獨創的微細加工技術，開發出片上變壓器工藝，進而成功開發出小型并且內置了絕緣元件的柵極驅動器。無需外置零件，同時通過采用小型封裝，與傳統產品相比，安裝面積減少了約50％。不僅如此，由于內置車載逆變器電路所需的全部保護功能，不僅有助于實現逆變器的小型化，還非常有助于減輕設計負擔。

另外，針對逆變器電路中內置SiC元件、模塊時的噪音，通過與引以為豪的“業界最尖端”的羅姆自產SiC元件、模塊相結合進行開發，以最佳的電路設計成功解決了這個問題，從而成為業界唯一支持SiC的內置絕緣元件的柵極驅動器。

羅姆將以SiC為首的功率元件事業作為發展戰略之一定位，于2012年3月世界首家開始了“全SiC”功率模塊的量產。今后，羅姆繼續推進最大限度發揮SiC特性的柵極驅動器的開發，同時，還將推進SiC-IPM（智能功率模塊）等的開發，不斷完善SiC相關產品的陣容。

＜特點＞

1）  通過羅姆獨創的無鐵芯變壓器技術，內置2,500Vrms絕緣元件

2）  小型封裝

與傳統產品相比，SSOP-B20W（6.5mm×8.1mm　H＝Max 2.01mm）將安裝面積減少了50％以上

3）  通過內置所有的保護功能，實現安全設計

內置了車載逆變器電路所要求的全部保護功能：米勒鉗位功能、故障輸出功能、低電壓時誤動作防止功能、熱保護功能、短路保護功能、短路保護時軟關斷功能。

《主要規格》

4）  還支持SiC的高速開關

業界唯一支持SiC元件電路的產品。羅姆生產的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態下確保穩定驅動。

＜術語解說＞

?IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的簡稱）

絕緣柵雙極晶體管。在柵極構建了MOSFET的雙極晶體管。

?MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡稱)

金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最被普遍使用的結構。作為開關元件使用。