全球領先的半導體和解決方案的主要供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）今天宣布推出八款低功耗P通道和N通道功率金屬氧化半導體場效晶體管（MOSFET）產品，理想用于包括智能手機和筆記本在內的便攜式電子產品。具有業界領先的低功耗（低導通電阻），新器件包括20 V (VDSS) µPA2600和30 V µPA2601，配置了超緊湊型2 mm× 2 mm封裝，從而具有提升的功率效率并實現了小型移動器件封裝尺寸的小型化。

隨著功能豐富的智能手機的普及和用戶對于這些器件無縫體驗期望值的提升，現在對于更小型、更輕薄封裝尺寸的器件的需求不斷提高，而且要求這些器件具有更低的功耗，可以在兩次充電期間，實現更長的電池續航能力。為了滿足這些需求，設計者開始將目光投向具有更低導通電阻的功率MOSFET，用于進行充電/放電控制，RF功率放大器開/關控制以及過流切斷開關，同時也可支持大電流。

新款µPA2600 和µPA2601 MOSFET滿足了上述要求，在便攜設備中進一步實現了小型化和業界領先的低導通電阻，同時在廣泛的應用中，降低了安裝區域，這些應用包括在便攜式器件中的負載開關（它將應用到的IC進行開或關處理）和充電/放電控制，以及在RF功率放大器(用于高頻信號的放大器)的過流切斷開關。

多種具有不同電壓和極性的器件，如功率MOSFET，要求匹配便攜器件（包括耳機在內）中的電源技術規格要求。為了滿足這些相關要求，瑞薩已經致力于降低導通電阻并創建更小型的封裝，提供這些產品的豐富陣列。 

P通道和N通道功率MOSFET的主要特性：

(1) 業界領先的低導通電阻(N通道，µPA2600和µPA2601)

µPA2600和µPA2601MOSFET采用的是2 mm× 2 mm超緊湊型封裝，20 V (VDSS) µPA2600 器件實現了9.3 mΩ(在VGSS=4.5 V的典型值)的導通電阻，30 V µPA2601器件實現了10.5 mΩ(在VGSS=10 V下的典型值) 的導通電阻，從而達到了終端產品的節能目的。

(2) 可以降低安裝區域的超小型封裝

瑞薩電子通過將大面積的高性能芯片置于超小型的封裝，并通過采用裸露的散熱型小封裝，實現了超緊湊型2 mm× 2 mm封裝的應用，有效降低了從封裝傳到安裝板的熱量。與現有的3 mm× 2 mm封裝相比，µPA2600和類似產品可以減少大約30%的安裝面積，而與現有3 mm× 3 mm封裝相比較，µPA2672和類似產品可以減少大約40%的安裝面積。這將有助于降低終端應用產品的尺寸和重量。

(3) 器件的擴展陣列

8個在產品中，新的P通道和N通道功率MOSFET集中在12至30V，用于常見的便攜設備：4個P通道產品包括µPA2630，3個n通道產品包括µPA2600，還有µPA2690，此產品將N通道和P通道器件全部集成在一個單獨的封裝中。因此，這一系列可以支持多樣化的應用，包括充電/放電控制，RF功率放大器開/關控制和過流切斷開關。

新款功率MOSFET產品為環保型產品，符合RoHS指令(注1)和無鹵要求。

在便攜式電子產品領域，設備的多功能性在不斷提高，而由于像智能手機這類設備的外形尺寸不斷趨向薄型化，因此元件可用的安裝空間也在日益變得更有限。為了滿足對于小型化和更高性能的要求，瑞薩將持續開發新產品，它們將保持之前產品的性能水平，但能滿足更小安裝空間的要求，同時擴展其系列，從而有助于進一步實現便攜設備的小型化和更高性能。

（注1）歐盟RoHS指令：歐洲議會的2002/95/EC指令和歐盟委員會在2003年1月27日關于即在電子電氣設備中限制使用某些有害物質指令。

請參考附表，了解新款功率MOSFET的主要規格。

定價和供貨情況

瑞薩電子新型µPA2600和µPA2601功率MOSFET的樣品將于2012年4月推出，定價為每片0.4美元。量產計劃于2012年5月開始，到FY2013的上半年所有八個產品每月的總共產量將達到3,000,000件。（定價和供貨情況如有變化恕不另行通知。)

 P通道和N通道功率MOSFET的產品規格