KLA-Tencor" title="KLA-Tencor">KLA-Tencor 公司（納斯達克股票代碼：KLAC）今天推出 Aleris? 系列薄膜度量" title="薄膜度量">薄膜度量系統，該系列從 Aleris 8500 開始，是業界第一套將可用于生產的成份與多層薄膜厚度測定結合在一起的系統。其它 Aleris 系列系統將在未來數月內以不同配置推出，以滿足 45nm 節點及以下尺寸所有薄膜應用的性能與 CoO 要求。?
KLA-Tencor 的薄膜與散射測量技術部 (Films and Scatterometry Technologies) 副總裁兼總經理 Ahmad Khan 表示：“隨著顯著影響設備性能與可靠性的新型材料與設備結構的大量涌現，我們的客戶需要更加詳細地了解其關鍵薄膜層的物理與化學特性。Aleris 8500 系統在核心光學技術領域取得的進展將提供目前可以達到的最精確的厚度測量。現在，憑借該系統的新型成份測定功能，處于技術前沿的客戶能夠監控產品晶片上的門控" title="門控">門控及其它關鍵層。Aleris 8500 系統還具備顯著改善的 2D" title="2D">2D 應力度量功能，以管理越來越多的高應力層。”?
迄今為止，芯片制造商" title="芯片制造商">芯片制造商一向是購買單獨的分析與傳統光學厚度測量工具來提供厚度與成份測定。這種混搭方法意味著要忍受拙劣的工具與工具搭配、困難的容量備份及不兼容的方法等各種低效率作法。Aleris 將所有可用的先進關鍵薄膜度量應用集中到單獨一個平臺上，從而幫助芯片制造商提高所有權成本，并加快了獲得結果的速度。Aleris 8500 可提供比現有分析方法高出 3 倍的產能，且其非真空光學技術克服了傳統分析工具的可靠性限制。這些完善的生產優勢讓 Aleris 8500 成為成份控制的最佳 CoO 解決方案。?
Aleris 8500 系統以該公司領先業界的 SpectraFx 200 技術為基礎，主要采用下一代寬帶光譜橢圓偏光法（Broadband Spectroscopic Ellipsometry，BBSE?）光學元件，在精密度、匹配度及穩定性等方面勻有顯著改善。此技術讓芯片制造商能夠檢驗和監測先進的薄膜，包括新型材料、結構與設計基底。該系統獨特的 150nm BBSE 可為成份測定提供更好的靈敏度，使 Aleris 8500 成為業界第一款可用于產品晶片上的關鍵門控應用之生產監測的單一工具解決方案。Aleris 的 StressMapper? 模塊能夠以更高的產能提供更高的空間分辨率，可用于高應力薄膜中 2D 應力的生產監測。?
Aleris 8500 系統已經運抵若干重要客戶，正用于 65nm 門控生產及 45nm/32nm 開發。?
關于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是為半導體制造及相關行業提供產能管理和制程控制解決方案的全球領先企業。該公司總部設在美國加州的圣何塞市，銷售及服務網絡遍布全球。KLA-Tencor 躋身于標準普爾 500 強公司之一，并在納斯達克全球精選市場上市交易，其股票代碼為 KLAC。有關該公司的更多信息，請訪問 http://www.kla-tencor.com。?
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Aleris 8500 技術概要
出類拔萃的性能
先進的 BBSE 光學元件?
最新一代的更高分辨率光學元件可實現從 150nm 到 900nm 廣泛波長光譜范圍內的薄膜測量。所有主要 SE 組件均經重新設計，以降低光譜失真，并改善系統對系統的匹配性。?
KLA Tencor 使用的專利反射式聚焦光學元件可讓照明點尺寸獨立于波長，從而避免其衰減。小點尺寸，以及匹配度、精密度及穩定性的提升可滿足擁有更小劃線之先進設計節點的更嚴格的工藝容差。 ?
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最佳的反射式測定法選項 ?
紫外線反射計 (UVR) 的新型設計可提供最佳的信噪比（比上一代要好 10 倍以上），以改善整體測量性能。
實現新的應用
成份測定?
與上一代工具相比，Aleris 8500 的 150nm BBSE 功能可提供 2 倍更好的可重復性及 4 倍更好的匹配度，從而增強了對成份測定的靈敏度。這讓 Aleris 8500 能夠成為控制關鍵氮化門控與高介電常數應用所需之產品晶片成份與厚度測定的單一工具解決方案。 ?
增強對超薄 ONO 堆棧的靈敏度?
150nm BBSE 實現了 ONO 堆棧內高度相關的頂部與底部氧化層的測量。相關程度由分離兩種氧化物的氮化物層的厚度所驅動，它正變得越來越薄，并提出了更大的相關性挑戰。因為氮化物薄膜在較短的波長下可增加吸收特性，所以使用較短的波長將增加頂部和底部氧化物的對比。 ?
StressMapper 提供先進的應力功能?
StressMapper 基于激光的斜度測量可提供更高的敏感度與空間分辨率，實現真正的 2D 局部應力測繪。顯著增強的可重復性與匹配度及高產能允許對有復雜薄膜堆棧、間斷薄膜或外形誘發應力的產品晶片同時實施全局與 2D 應力測量的生產監控。此模塊實現了 FEOL 低偏差與高應力薄膜的測量，例如氮化硅覆蓋與植入物退火。