在今天舉行的2011第五屆移動互聯網國際研討會上，工信部電信研究院沈嘉博士介紹了目前我國TD-LTE試驗進展與后續安排，在談及終端芯片測試時，他表示，目前海思與創毅視訊兩家芯片廠商完成了與10家TD-LTE設備商室內與室外UuIOT測試，而高通也完成了與六大設備商互操作測試。

　　TD-LTE終端芯片“緊追不舍”

　　TD-LTE作為TD-SCDMA后續標準從誕生之日起即受到業界廣泛關注，工信部電信研究院從2009年起即開始做規模試驗以及概念驗證工作，其目的主要是驗證TD-LTE基本原理和算法。然而任何一項通信標準從誕生到發展，網絡設備勢必先行，而終端一致性測試則是驗證移動通信技術真正成熟的標志。

　　沈嘉介紹到，由于通信技術成熟之前，終端環節很難批量部署，不過TD-LTE從一開始就非常重視終端芯片環節開發，包括從標準化到測試代碼開發以及儀表開發均有終端廠商參與，盡量拉近終端與系統側的差距。

　　目前，TD-LTE終端雖然與FDD LTE相比尚存在一定差距，但目前已有TD-LTE多模終端樣機展示，在近日舉行的2011年世界通信展，中國移動(微博)展示了全球首款TD-LTE+TD-SCDMA/GSM多模雙待單卡智能手機，同時亮相了首款TD-LTE無線貓，標志著TD-LTE智能終端產業正邁向成熟。

　　兩種TD-LTE多模方案并行

　　由于未來TD-LTE網絡系統不可能孤立發展，而是和2G/3G聯合發展，因此對于終端芯片而言，多模方案的發展是必然趨勢。沈嘉表示，目前工信部要求TD-LTE多模終端必須支持TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模，同時鼓勵支持LTE FDD制式，不過可以選擇單芯片或雙芯片模式，不過兩種方案均有利弊。

　　由于終端需要多模制式，但多模單芯片相對比較復雜，因此目前大多終端廠商研發雙芯片多模方案。沈嘉介紹稱，雙芯片多模方案是終端內采用一塊TD-LTE芯片，同時有一塊TD-SCDMA/GSM雙模商用芯片組成雙芯片多模終端，這種方式可較快進行研發，目前已有四家終端廠商計劃在今年四季度提供多模數據卡或雙待手機。

　　不過沈嘉也指出，由于雙芯片雙待模式功耗要求很大，因此從多模終端發展來看，單芯片多模方案最終是演進方向。目前芯片工藝發展將采用40nm，至少支持TD-LTE/TD-S/GSM三模，據了解，目前已有7家芯片長蘇昂宣布將在明年提供樣片，計劃在2012年底或2013年商用。沈嘉表示，工信部希望在今年年底實現雙芯片規模測試，到明年進行單芯片測試。