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最優的190 W纖薄PFC電源段方案選擇
摘要: 大多數功率因數校正(PFC)電源段采用臨界導電模式(CrM)工作,這種模式控制電感電流從零躍升至期望的峰值電平,然后又降至零。由于這種模式依賴于電流周期的時長,故開關頻率以交流線路電流需求的函數形式變化。
Abstract:
Key words :

  大多數功率因數校正(PFC" title="PFC">PFC)電源" title="電源">電源段采用臨界導電模式(CrM)工作,這種模式控制電感電流從零躍升至期望的峰值電平,然后又降至零。由于這種模式依賴于電流周期的時長,故開關頻率以交流線路電流需求的函數形式變化。不利的是,功率需求較低時,從交流線路流入的電流較小,開關頻率“飆升”。這樣一來,采用大電感就是將開關損耗和干擾降到可接受水平的唯一方式。

  頻率鉗位臨界導電模式(FCCrM)是安森美半導體NCP1606或NCP1631等控制器嵌入的一種技術。采用這種模式工作時,在高負載條件下,功率因數校正段以CrM工作,但在中等負載/輕載條件下( ),限制開關頻率以提升能效。與傳統CrM電路相比,FCCrM支持使用更小的電感(見參考資料[1])。實際上,交錯式FCCrM PFC似乎進一步縮減了磁性元件的尺寸及成本。這些優勢在190 W低高度電源中得以展現。

  本文在參考資料[1]所示文章基礎上進一步推進研究,在相同的190 W寬主電源輸入范圍、最大厚度13 mm的應用中探究總體PFC成本問題。

  電感考慮事項表1重提了參考資料[1]的主要結論。由于FCCrM鉗位開關頻率,就不需要大電感來拉低CrM開關頻率范圍。因此,FCCrM大幅減小PFC段電感尺寸,采用交錯式FCCrM方案時尤為如此。事實上,如表1所述,可以選擇下述磁性元件用于190 W(輸入功率)、寬主電源范圍、最大厚度13 mm的電視應用:

  •CrM方案:兩個EFD30串聯

  •FCCrM方案:單個EFD30

  •交錯式FCCrM方案:兩個EFD20(每個支路一個)

 

  

 

  橫向比較

 

  下一步,為了比較不同方案,我們以300 W的46英寸液晶電視電源參考板(見參考資料[2])作實驗來比較這三種PFC方案。此參考板由安森美半導體開發,嵌入了由NCP1631(見參考資料[3])驅動的FCCrM交錯式PFC。我們利用這電路板來比較我們190 W應用的三種方案。由于本應用中集成的電感與表1中定義的電感不同(本應用中原線圈尺寸針對的是300 W功率),首要修改此應用,確保能夠使用2個EFD20元件。第二步, 動態地調節電路,測試CrM和FCCrM單相方案。就每項測試而言,PFC段的設計要使得三種方案的能效保持在接近相同的水平。

  在圖1中,我們可以看到采用調整后的交錯式配置的電路板,這可從兩個“飛跨”(flying)電感得到證實;圖2顯示的則是如何應用CrM控制器(即NCP1607,見參考資料[4]),而非原有的NCP1631交錯式驅動器。

 

  

 

  

 

  各種方案參數對比

 

  不同的方案中,電感并不必然是唯一需要修改的元件。PFC段必須根據所測試的方案來調整。表2小結了構建這三種方案使用的經過了實際測試驗證的主要設計指引。

 

  

 

  交錯式PFC包含兩個支路,每個支路各傳輸總功率的50%。因此,這種方案采用的元器件數量更多,但尺寸更小。為了簡單起見,這里就不具體的交錯式設計準則。但如參考資料[5]中所詳細介紹的,交錯式技術能夠優化下列元器件:

  -功率MOSFET:在每個支路,MOSFET均方根(rms)電流僅為單相CrM或FCCrM PFC段中使用的11 A MOSFET的電流的一半。兩顆5 A MOSFET替代了11 A MOSFET。

  -升壓二極管:同樣,每個支路的升壓二極管傳輸的電流是總電流的一半。因此,各個支路就有可能使用較小的MUR160。

  -大電容:交錯式方案迫使兩個支路異相(out-of-phase)工作,旨在大幅降低大電容的均方根電流(降至0.8 A而非1.3 A)。這樣,就可能使用2個39 µF/450 V電容,而非3個。

  -電磁干擾(EMI)濾波器:交錯式方案也削弱了電流紋波。例如,根據參考資料[5]所示,在典型寬主電源電壓應用中,峰值到峰值紋波在0至60%之間變化。減小的紋波簡化了差模濾波。如圖3所示,交錯式PFC采用了10 µH電感來通過EN55022規范,而單相CrM(或FCCrM) PFC要求使用50 µH差模線圈。

 

  

 

  FCCrM與CrM單相方案采用幾乎相同的功率元器件,因為它們在重負載條件下采用相同方式工作,器件的參數也是針對重負載條件工作而選定的。但如前所述,FCCrM方案中使用的電感尺寸更小。(單FCCrM方案段中)使用了單個200 µH EFD30線圈,而非兩個串聯的200 µH EFD30線圈。顯而易見的是,控制器也變了。CrM方案采用NCP1607驅動(見參考資料[4])。為了方便起見,沒有使用特別控制器來測試FCCrM單相方案,相反,我們復用了參考板中使用的NCP1631交錯式FCCrM控制器,只是簡單地關閉驅動第二個支路的輸出,從而獲得單相FCCrM工作。

 

  小結

 

  

 

  表3小結了三種方案的設計差別,其中根據所選擇的方案列舉了可能選擇的主要元器件,其中包括控制器(單相方案中采用了專用FCCrM控制器NCP1605而非NCP1631)。根據這些設計差別推算成本優劣勢,可以看出交錯式方案是性價比" title="性價比">性價比最高的方案。單相FCCrM是成本第二低的方案,而傳統CrM方案成本最高!如果以CrM方案作為參照,其它方案提供的優勢小結如下(見表1):

  表3-FCCrM單相方案少用一個EFD30電感

  -FCCrM交錯式方案也減小磁性元件(使用兩個EFD20而非兩個EFD30), 但進一步節省一個39 µF/450 V電容,從而能夠使用較小的差模扼流圈,并采用更小、更便宜的MOSFET及升壓二極管工作。

  計算出精確的成本優勢很困難。但是,仍然以CrM方案作為參照,并顧及(大批量)消費市場的成本結構,可以粗略估計出交錯式PFC方案具有0.5美元的成本優勢,而(單相式)FCCrM的成本優勢減半。

  FCCrM單相及交錯式方案總體上更便宜,盡管用于驅動它們的控制器(分別是NCP1605和NCP1631)成本更高。這兩款IC集成了比NCP1607 CrM控制器更多的功能,如輸入欠壓保護、待機管理功能,或在大電壓不是額定值時關閉下行轉換器的“pfcOK”信號。這些額外特性能夠幫助最終應用節省元器件,因此進一步增強FCCrM單相及交錯式方案的成本優勢。

 

  結論

 

  雖然通常人們認為單相CrM方案是200 W及以下功率應用最便宜的PFC方案,但本文的研究顯示,FCCrM交錯式方案實際上是我們所舉190 W應用性價比最高的方案。當我們仔細考慮其特別優勢時,這個結論完全不奇怪。交錯式方案要求更多的元器件,但它們尺寸更小,成本更低。此外,輸入及輸出電流紋波減小也支持使用更廉價的EMI濾波器及大電容。最后,FCCrM工作大幅減小電感尺寸,這種特性使得單相FCCrM方案優于單相CrM方案。顯而易見的是,這些研究結論尤為適用于低高度(< 13 mm)裝置,但在元器件選擇靈活度更高的其它應用中仍然適用。

 

  參考資料

  [1] 《減小電感尺寸,設計纖薄的PFC段》,《電子設計技術》2010年9月刊,http://article.ednchina.com/Other/Reduce_the_inductor_size_the_design_of_the_PFC_Power_supply_section_of_thin.htm

  [2] 參考設計,http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/TND401-D.PDF

  [3] NCP1631數據表,http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/NCP1631-D.PDF

  [4] NCP1607數據表,http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/NCP1607-D.PDF

  [5] “交錯式PFC特性”,應用注釋AND8355,http://www.onsemi.cn/pub/Collateral/AND8355-D.PDF

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