??? 三菱電機(jī)一直致力推動(dòng)環(huán)保，將攜同第4代DIPIPM（雙列直插式智能功率模塊），在6月2日至4日于上海光大會(huì)展中心舉行的PCIM中國(guó)展（展位號(hào)W2-P209）中亮相，向參觀者推介越來(lái)越受市場(chǎng)歡迎的變頻家電節(jié)能技術(shù)。?

??? 近年來(lái)，為了節(jié)能和獲得更好的性能，變頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)已得到廣泛應(yīng)用，其電流應(yīng)用由大至幾百安培，到小至幾安培。三菱電機(jī)在1997年最早推出壓注模雙列直插式智能功率模塊（DIPIPM^TM），并在白色家電和工業(yè)電機(jī)變頻驅(qū)動(dòng)中得到廣泛應(yīng)用。?

??? 三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部長(zhǎng)谷口豐聰先生說(shuō)：“中國(guó)近年來(lái)一直提倡加強(qiáng)能源節(jié)約和生態(tài)環(huán)境保護(hù)以增加可持續(xù)發(fā)展，倡導(dǎo)采用變頻驅(qū)動(dòng)。三菱電機(jī)結(jié)合現(xiàn)代科技與多年累積的經(jīng)驗(yàn)不斷發(fā)展節(jié)能產(chǎn)業(yè)，這不僅僅是企業(yè)發(fā)展的機(jī)遇，更是一種社會(huì)責(zé)任。”?

??? DIPIPM 是控制壓縮機(jī)電流、空調(diào)變頻器節(jié)能的關(guān)鍵元件。模塊集成了功率器件及其驅(qū)動(dòng)保護(hù)芯片，從而大大減少電力損耗達(dá)到節(jié)能效果。?

??? 第4代DIPIPM 有超小型、小型和大型三種大小的封裝。第4代DIPIPM 的超小型3A/600V產(chǎn)品是世界上首次將RC-IGBT搭載于變頻用途的IPM，其模塊內(nèi)部的硅片數(shù)量減少了一半，加之散熱優(yōu)化的封裝結(jié)構(gòu)使得DIPIPM^TM的可靠性更高且功率密度更大。?

??? 第4代大型封裝的DIPIPM 額定值可達(dá)75A/600V和35A/1200V，采用了全柵型CSTBT^TM硅片、優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)IC以及導(dǎo)熱性能優(yōu)異的絕緣薄膜。不僅能用于柜式變頻空調(diào)，還可滿足工業(yè)變頻應(yīng)用，它必將為變頻系統(tǒng)的進(jìn)一步小型化做出卓越的貢獻(xiàn)。?

同時(shí)，第4代DIPIPM 也是歷來(lái)產(chǎn)品中端子形狀最為豐富的，完全滿足各種變頻系統(tǒng)基板的實(shí)際安裝要求。此外，第4代DIPIPM 整體無(wú)鉛化，完全符合歐洲的RoHS指令，真正做到綠色環(huán)保。?

??? 三菱電機(jī)應(yīng)用于家電市場(chǎng)的產(chǎn)品還有DIPPFC^TM和DIPPSC^TM。DIPPFC^TM是完全開關(guān)型功率因數(shù)校正雙列直插智能模塊，它的內(nèi)部集成了二極管整流橋和有源PFC電路，硅片的功率損耗低，封裝小型化且熱阻低。DIPPSC^TM是部分開關(guān)型功率因數(shù)校正雙列直插智能模塊，它內(nèi)置功率因數(shù)校正電路及三相逆變電路，內(nèi)建自舉電路且可動(dòng)態(tài)監(jiān)視模塊內(nèi)部溫度。DIPPFC^TM和DIPPSC^TM均能有效改善家用電器對(duì)供電電網(wǎng)的諧波污染。?

??? DIPIPM 是變頻家電功率轉(zhuǎn)換部分的核心，變頻家電以其節(jié)能、環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)近年來(lái)逐步受到市場(chǎng)的親睞。例如：變頻空調(diào)比定速空調(diào)節(jié)電20-30%；變頻冰箱比常規(guī)冰箱節(jié)電50%左右；變頻洗衣機(jī)比常規(guī)洗衣機(jī)節(jié)電50%左右，在節(jié)水方面，變頻洗衣機(jī)比常規(guī)洗衣機(jī)節(jié)水30-50%左右。

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??? 三菱電機(jī)將攜同一系列新型的HVIGBT模塊，于6月2日至4日于上海光大會(huì)展中心舉行的PCIM中國(guó)展（展位號(hào)W2-P209）中亮相，為不同領(lǐng)域的客戶提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。?

??? HVIGBT模塊已經(jīng)在大功率領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，比如：軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)。這些大功率應(yīng)用需要具有優(yōu)良性能的HVIGBT模塊，尤其要求損耗低、額定電流大以及運(yùn)行結(jié)溫范圍大的特性。同時(shí)，要求模塊具有良好的開關(guān)控制特性以降低電磁干擾（EMI）。基于這些要求，三菱電機(jī)開發(fā)了一系列新型的HVIGBT模塊以滿足不同應(yīng)用的需要。?

??? 三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部長(zhǎng)谷口豐聰先生說(shuō)：“三菱電機(jī)在研制HVIGBT模塊已累積了多年經(jīng)驗(yàn)，這次展示的產(chǎn)品均能滿足客戶在高性能、高可靠性、及低損耗方面的要求。”?

??? 1700V N系列HVIGBT模塊采用載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBT^TM）功率硅片，獲得更好的飽和壓降（V_CE(sat)）與關(guān)斷損耗（E_off）的折衷關(guān)系，有效降低了模塊的功率損耗。二極管硅片的軟反向恢復(fù)特性很好地抑制了二極管的振蕩。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。?

??? 3300V R系列HVIGBT模塊采用FP-LPT-HVIGBT硅片和軟恢復(fù)高壓二極管硅片的組合，在不犧牲模塊的短路魯棒性前提下，該新型模塊的飽和壓降與關(guān)斷損耗折衷特性得到了25%的改善。新型二極管的使用減小了反向恢復(fù)電流從而降低了導(dǎo)通損耗，且軟反向恢復(fù)特性維持了現(xiàn)有二極管設(shè)計(jì)的短路魯棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技術(shù)大大降低了模塊的功率損耗，提高了模塊的額定電流，最大額定電流可高達(dá)1500A。實(shí)驗(yàn)證明，通過(guò)調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷柵極電阻值可以在比較大范圍內(nèi)控制模塊的開關(guān)特性。模塊的最大運(yùn)行結(jié)溫可達(dá)150°C，且最低存儲(chǔ)溫度可低至零下55°C。?

??? 6500V HVIGBT模塊，其絕緣耐壓高達(dá)10.2k V（1分鐘交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式，小型，中型和大型。6500V HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區(qū)（SOA）大的特性，其二極管硅片具有軟反向恢復(fù)特性、功率損耗低和安全工作區(qū)（SOA）大的特性。從而模塊的總的功率損耗低，可靠性高。?

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??? 三菱電機(jī)大力支持中國(guó)電動(dòng)汽車（EV）行業(yè)發(fā)展，推出L1系列智能功率模塊和第6代IGBT模塊功率器件用于電動(dòng)汽車領(lǐng)域，并將攜同該產(chǎn)品在6月2日至4日于上海光大會(huì)展中心舉行的PCIM中國(guó)展（展位號(hào)W2-P209）中亮相，向參觀者推介越來(lái)越受市場(chǎng)關(guān)注的電動(dòng)汽車技術(shù)。?

??? 三菱電機(jī)早在10年前已向日本電動(dòng)汽車行業(yè)提供功率半導(dǎo)體。現(xiàn)在，三菱電機(jī)的智能功率模塊(IPM)具有體積小、開關(guān)速度快、功耗低、抗干擾能力強(qiáng)、無(wú)須防靜電措施等優(yōu)點(diǎn)，大大縮短了客戶項(xiàng)目開發(fā)周期。?

三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部長(zhǎng)谷口豐聰先生說(shuō)：“傳統(tǒng)的燃油不單造成空氣污染，令中國(guó)的能源供應(yīng)矛質(zhì)更為突出，發(fā)展電動(dòng)汽車等新能源汽車已成大勢(shì)所赹，三菱電機(jī)憑著累積多年的經(jīng)驗(yàn)，能為汽車產(chǎn)業(yè)提供最優(yōu)化的功率模塊，推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展。”?

??? IPM不同于IGBT模塊，IPM有控制電路，不僅把功率開關(guān)器件和驅(qū)動(dòng)電路集成在一起，而且還內(nèi)藏有欠電壓、短路和過(guò)溫等故障檢測(cè)電路，并可將故障檢測(cè)信號(hào)輸出到控制單元。由于有控制電路的限制，開發(fā)大電流、高電壓的IPM模塊比較困難。但是由于有了控制電路，客戶應(yīng)用設(shè)計(jì)比較方便，而且產(chǎn)品的穩(wěn)定性也有所提升。?

??? 三菱電機(jī)的第5代L1系列智能功率模塊，將硅片溫度傳感器設(shè)置在IGBT硅片正中央處，實(shí)現(xiàn)了更加精確迅速的硅片溫度檢測(cè)。該系列IPM采用全柵型CSTBT^TM硅片技術(shù)，具有比L系列IPM更低的損耗以及更加優(yōu)化的V_CE(sat)與E_off折衷曲線。?

??? L1系列智能功率模塊主端子有針腳型和螺絲型兩種形式，同樣電流電壓等級(jí)的L1系列IPM與L系列IPM的封裝完全兼容。此外，L1系列IPM還首次開發(fā)了25A/1200V和50A/600V的小封裝產(chǎn)品以滿足客戶節(jié)約成本的需求。?

??? 三菱電機(jī)最新開發(fā)的第6代IGBT模塊，采用優(yōu)化載流子存儲(chǔ)層的摻雜分布和精細(xì)圖形工藝的溝槽型IGBT硅片，進(jìn)一步降低模塊的開關(guān)和通態(tài)損耗。第6代IGBT模塊內(nèi)的續(xù)流二極管硅片，由于采用薄晶片工藝和擴(kuò)散技術(shù)，這種硅片優(yōu)化了緩沖層雜質(zhì)分布和本征層、緩沖層厚度，減小了反向恢復(fù)的拖尾電流，并且獲得更好的V_F和Q_rr的折衷關(guān)系。?

??? 實(shí)驗(yàn)證明新型硅片具有足夠?qū)扴CSOA和至少10μs的短路承受時(shí)間。第6代IGBT模塊的NX系列模塊采用第6代硅片，運(yùn)行結(jié)溫最高可達(dá)175°C。該IGBT模塊產(chǎn)品豐富，有1200V和1700V兩個(gè)電壓等級(jí)，額定電流從35A到1000A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、二單元和一單元模塊。全系列產(chǎn)品采用同一封裝平臺(tái)從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性價(jià)比具有不同尋常的競(jìng)爭(zhēng)力。

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三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司簡(jiǎn)介?

??? 三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團(tuán)。在最新的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中，名列第210。?

??? 作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)領(lǐng)先技術(shù)，并憑強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)著重要的地位。?

??? 三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司把弘揚(yáng)國(guó)人智慧，開創(chuàng)機(jī)電新紀(jì)元視為責(zé)無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì)繁榮。?

??? 三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊（IGBT、IPM、DIPIPM^TM、HVIGBT、MOSFET等）、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機(jī)控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實(shí)現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求；而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無(wú)線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。?

??? 更多信息，請(qǐng)登陸三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司網(wǎng)站：http://www. MitsubishiElectric-mesh.com或三菱電機(jī)半導(dǎo)體全球網(wǎng)站：http://www.mitsubishichips.com/。?

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