Diodes 公司推出專為開關高功率 IGBT 設計的 ZXGD3006E6 閘極驅動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅動和電源應用的功率轉換效率。
當輸入電流為 1mA 時，該閘極驅動器通常可提供 4A 的驅動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應（latch-up）及貫通問題（shoot-through），實現少于 10ns 的傳輸延遲時間。
ZXGD3006E6 的操作范圍涵蓋 40V，可全面改善開關器件，從而把通態損耗降至最低。該器件同時允許從 +20V 至 -18V 的閘極驅動，有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 誤觸發（false triggering）。
這個閘極驅動器提供獨立電源和路漏輸出（sink output），可分別器件開啟及關閉時間，從而讓電路設計師能為特定應用設定更佳的開關功能。再加上擁有 10Amp 的峰值電流處理能力，該器件可控制大閘極容性負載的充電和放電，以減少更高運行頻率下的 EMI（電磁干擾）問題和跨導風險（cross conduction）。
該閘極驅動器采用堅固耐用的 SOT26 封裝，可比競爭器件提供更高的脈沖電流，確保減少熱耗散，從而提升產品可靠性。此外，新器件的封裝引腳經過優化，能簡化印刷電路板布線，并減少寄生引線電感。
如需進一步了解產品信息，請訪問 www.diodes.com。
本站內容除特別聲明的原創文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。