意法半導體（ST）擴大第六代功率MOSFET產品系列，為太陽能、電信及消費電子應用領域實現節能省電優勢
最新的 STripFET? VI DeepGATE功率 MOSFET為直流-直流應用實現更高的額定電壓、通態性能以及開關性能
2011-06-17
橫跨多重電子應用領域、全球領先的功率芯片供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）擴大采用第六代STripFET™技術的高效功率晶體管的產品系列，為設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。
最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET可承受高達80V的電壓，可用于太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、聯網設備以及服務器電源。高額定電壓可準許晶體管在48V電信應用中穩定工作，高能效還可有效降低運營商網絡成本。此外，這項技術不僅可降低消費電子的電源能耗，在可使其在更低的溫度下工作，從而提高用戶的使用體驗，并延長電池壽命。
首批推出的5款產品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由于采用了意法半導體最新的DeepGATE™溝道MOSFET架構，這五款產品擁有業界同類產品最低的單位芯片面積通態電阻。這些低損耗器件選擇多種微型工業標準封裝，使客戶能夠提高系統能效，同時降低印刷電路板的尺寸和總體組件數量/成本。
主要特性：
- 60V和80V擊穿電壓
- 0.0016Ω通態電阻(STH260N6F6-2)
- 180A額定電流(STx260F6N6)
- 100%雪崩測試
采用TO-220封裝的STP260N6F6、STP210N75F6與采用H2PAK-2貼裝的STH210N75F6-2、STH260N6F6-2 目前已上市。
采用PowerFLAT5x6封裝的STL75N8LF6預計于2011年第三季度推出樣片。PowerFLAT封裝可縮減芯片的占板空間，同時優化輸出電流。
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