1 定性分析
1.1 晶體管的建模
通過網絡可以查閱晶體管生產廠商的相關資料，可以下載廠商提供的該款晶體管模型，也可以根據實際需要下載該管的S2P文件。本例采用直接將該管的S2P文件導入到軟件中，利用S參數為模型設計電路。如果是第一次導入，則可以利用模塊SParams進行S參數仿真，觀察得到的S 參數與S2P文件提供的數據是否相同，同時，測量晶體管的輸入阻抗與對應的最小噪聲系數，以及判斷晶體管的穩定性等，為下一步驟做好準備。
1.2 晶體管的穩定性
對電路完成S參數仿真后，可以得到輸入/ 輸出端的mu 在頻率2~2.2GHz 之間均小于1，根據射頻相關理論，晶體管是不穩定的。通過在輸出端并聯一個10Ω和5pF的電容，m2和m3的值均大于1，如圖1，圖2 所示。晶體管實現了在帶寬內條件穩定，并且測得在2.1GHz時的輸入阻抗為16.827- j16.041。同時發現，由于在輸出端加入了電阻，使得Fmin由0.48增大到0.573，Topt 為0.329 ∠125.99°，Zopt=（30.007 +j17.754）Ω 。其中，Topt是最佳信源反射系數。
圖1 利用模塊SParams 進行仿真的電路原理圖
圖2 輸入/ 輸出mu 與頻率的關系
1.3 制定方案
如圖3所示，將可用增益圓族與噪聲系數圓族畫在同一個Ts平面上。通過分析可知，如果可用增益圓通過最佳噪聲系數所在點的位置，并根據該點來進行輸入端電路匹配的話，此時對于LNA而言，噪聲系數是最小的，但是其增益并沒有達到最佳放大。因此它是通過犧牲可用增益來換取的。在這種情況下，該晶體管增益可以達到14dB左右，Fmin大約為0.48，如圖3所示。
另一種方案是在可用增益和噪聲系數之間取得平衡，以盡可能用小噪聲匹配為目標，采用在兼顧增益前提下的設計方案。在這種情況下該晶體管增益大約為15dB左右， Fmin大約為0.7(見圖3)。這個就是本文中提到的第2種方案。
圖3 同一個Ts平面上的可用增益圓族與噪聲系數圓族
2 以最佳噪聲系數為設計目標方案的仿真
2.1 輸入匹配電路設計
對于低噪聲放大器，為了獲得最小的噪聲系數，Ts有個最佳Topt系數值，此時LNA達到最小噪聲系數，即達到最佳噪聲匹配狀態。當匹配狀態偏離最佳位置時，LNA的噪聲系數將增大。前面定性分析中已經獲得Topt=0.329∠125.99°，以及對應的Zopt=30.007 + j17.754Ω下面可以利用ADS 的Passive CIRcuit / MicorST rip Co nt ro lWindow 這個工具，自動生成輸入端口的匹配電路。
在原理圖中添加一個DA_SSMatch1 的智能模塊，然后修改其中的設置：F=2.1GH z，Zin=50Ω。值得注意的是，利用該工具生成匹配電路時，Zload 是Zopt 的共軛。設置完畢后，再添加一個MSub的控件，該控件主要用于描述基板的基本信息，修改其中的設置為H=0.8mm，Er=4.3，Mur=1，CONd=5.88 × 107 ，H u=1.0e + 33mm，T=0.03mil。設置完后，即可進行自動匹配電路的生成，結果電路如圖4所示。
圖4 輸入端口的匹配電路
將輸入匹配電路添加到圖1后再進行S參數的仿真。可以看到，最佳噪聲系數Topt 的位置由于輸入匹配電路的加入而成功匹配到50Ω的位置。
2.2 輸出端匹配電路設計
根據最大功率增益原則進行輸出端匹配電路的設計(考慮到輸出穩定電路的存在，對輸出阻抗的影響，在進行輸出阻抗測量時要把穩定電路計算在內)，即將輸出阻抗(Zout=8.055- j8.980，如圖5所示)使用上述的方法匹配到50Ω 。得到的輸出端匹配電路如圖6所示。
圖5 輸出阻抗匹配
圖6 輸出端匹配電路
2.3 仿真結果
觀察最后的仿真結果可以看到，增益為14.4dB；噪聲系數為0.586，這與穩定后的晶體管最佳噪聲系數0.573非常接近，且增益平坦度低，穩定性能優異。具體性能指標如圖7所示。
圖7 原理圖仿真數據
3 以噪聲系數為主兼顧增益為設計目標方案的仿真
3.1 輸入匹配電路設計
如果選擇基板材料為環氧玻璃FR4基板，介電常數為4.3，厚度為0.8mm，則2.1GHz 時的晶體管輸入阻抗為16.827- j16.041。采用上述匹配電路生成方法，輸入匹配電路采用ADS設計向導中的單支節模塊來設計。可以很快得到圖8中的匹配電路。如圖9所示，圖中m6=50（0.927+ j0.001）。與50Ω的非常接近，所以得出的輸入端匹配情況比較合理。
圖8 輸入匹配電路
圖9 加入輸入匹配電路后的S 11 的smit h 原圖
3.2 輸出匹配電路設計
在完成輸入匹配電路設計之后，可以對輸出匹配電路進行設計。在此充分發揮CAD軟件的優勢，借助優化的方法來實現。基本過程如下：
將輸入匹配電路的結果添加到圖10中，并在晶體管輸出端添加如圖所示的微帶。調出優化控件，并將優化的目標設置為dB（S ）11））為- 20, dB（S （22））為- 15。
在優化開始時，先將T L1, T L2, TL3 寬度設置為61.394mil，這是為了保障在考慮到板材、板材厚度等因素下微帶線的特性阻抗為50Ω。預設T L1, T L2,TL3的長度，優化一次后，刷新結果，觀察各種圖表的指標是否更好，數值是否達到設置的最大值，如果達到最大值，再次改變設置值重新優化。反復多次后，將會達到再次改變這幾個數值，若改變后對于各種指標作用不大，可以嘗試改變電阻和輸入匹配的數值再進行優化。
通過多次調試發現，R1設為15Ω，以及加上TL7后，增益和噪聲系數以及輸入輸出駐波比效果更好。仿真電路原理圖及優化控件和目標控件如圖10所示。
圖10 仿真電路原理圖及優化控件和目標控件
3.3 仿真結果
觀察最后的仿真結果可以看到，增益為15.816dB；噪聲系數為0.708，該指標均比定性分析時的都要好，其他性能指標如圖11所示。
圖11 原理圖仿真數據
4 結 語
通過對晶體管進行定性分析，可以根據實際需要選擇低噪聲前置放大器的設計方案，第一種方案的最佳噪聲系數是以犧牲增益而得到的；第二種方案是以提高噪聲系數為代價，降低駐波比VSWR的值得到的。2種方法利用計算機輔助設計工具均可以快速實現，各有各自的存在價值，這在很多場合都得到了應用。