在對納米器件進行電流-電壓（I-V）脈沖特征分析時通常需要測量非常小的電壓或電流，因為其中需要分別加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應。這里，低電平測量技術不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電導率材料的電阻測量都非常重要。利于研究人員和電子行業測試工程師而言，這一功耗限制對當前的器件與材料以及今后器件的特征分析提出了巨大的挑戰。
與微米級元件與材料的I-V曲線生成不同的是，對納米材料與器件的測量需要特殊的方法和技巧。I-V直流特征分析通常采用兩點式電氣測量技術來實現。這種方法的問題是如果提供電流源并測量電壓，那么所測得的電壓不僅包括器件上的壓降，而且包括測試引線和接觸點上的壓降。如果目標是測量某個器件的電阻，采用普通歐姆表測量大于幾個歐姆的電阻，那么這種測量方法增加的電阻通常不成問題。但是，當測量導電納米材料或元件的低電阻時，如果采用兩點測量方法，即使使用脈沖測試，也難以獲得準確的結果。
如果脈沖I-V特征分析或電阻測量涉及低電壓或低電阻，例如分子導線和半導體納米線，那么采用基于探針臺的四線開爾文測量方法將會得到更準確的結果。開爾文測量法中采用了另外一套探針進行探測。由于探測輸入端上具有很高的阻抗，因此流過這些探針的電流可以忽略不計，從而測出的只有DUT兩端上的電壓降。這樣一來，電阻測量結果和生成的I-V曲線就更加精確。實現這一測量方法所需的源和測量功能的通常稱為源-測量單元（SMU），它能夠提供電源并測量直流電壓和電流。
脈沖測試可以借助直流測量中用到的一些簡單低電平測量技術。要想在低電平下實現更有效的脈沖測量，脈沖測試技術應該與行頻同步技術結合使用。通過同步脈沖測量與行頻，可以消除所有50/60Hz的行頻噪聲。
對于需要較高電壓靈敏度的應用，即使是很小的誤差也不容忽視。避免這些誤差的一種常用方法是采用德爾塔方法。德爾塔是指“之前”和“當前”讀數之間的差值，可用于校正直流偏移量。但是，直流偏移量常常會發生漂移。我們可以采用一種類似的稱為三點德爾塔的方法解決這一問題。其中，在脈沖之后再進行第三次測量可以校正這種漂移。
還在發愁這些技巧沒有用武之地嗎？那就繼續關注我們納米話題的最后一講吧，你將了解到真正能夠測試納米器件的工具哦！
納米器件的測試工具
對于納米電子和半導體材料與薄膜，采用靈敏的電氣測量工具是十分必要的。它們提供的數據能夠幫助我們完全掌握新材料的電氣特性和新器件與元件的電氣性能。納米測量儀器的靈敏度必須要高得多，因為需要測量的電流和電壓更低，而且很多納米材料還明顯表現出改善的特性，例如超導性。待測電流的幅值可能處于飛安量級，電壓處于納伏量級，電阻低至微歐量級。因此，測量技術和儀器必須盡可能地減少噪聲和其他誤差源，以免干擾信號。
具有0.1fA（即100埃安）和1μV分辨率的吉時利4200-SCS半導體特征分析系統就是這樣一種解決方案。其專門提供的脈沖I-V工具套件為脈沖I-V測量提供了雙通道脈沖發生與測量功能。如果結合內部安裝的高速脈沖發生器和示波器，4200及其PIV工具套件能夠同時實現直流和脈沖I-V測試。
信號反射常常會干擾用戶定制的脈沖測試系統，為了盡可能減少由于阻抗匹配不好而造成的信號反射，吉時利的4200脈沖I-V測試解決方案提供了一種系統互連箱——RBT（Remote Bias-Tee），為連接脈沖發生器提供了AC/DC耦合，該直流測試儀器的原理結構如圖1所示。
圖1. 吉時利4200-PIV測試系統的原理圖
利用這種工具套件，研究人員可以同時進行直流和脈沖IV測試以掌握器件特性，例如如圖2所示的FET器件系列特征曲線。
圖2. 一系列FET曲線的脈沖I-V與直流I-V特征分析
對于具有較大電阻幅值變化的各種導電材料或器件，用戶利用吉時利的6221/2182A組合可以設置最佳的脈沖電流幅值、脈沖間隔、脈沖寬度和其它一些脈沖參數，從而最大限度降低了DUT上的功耗。6221能夠在全量程上產生具有微秒級上升時間的短脈沖（減少了熱功耗）。6221/2182A組合能夠實現脈沖和測量同步——可以在6221加載脈沖之后的16μs內開始測量。整個脈沖，包括一次完整的納伏測量一起，可以短達50μs。6221和2182A之間的行同步也消除了與電源線相關的噪聲。
最后，吉時利的3400系列脈沖/碼型發生器為廣大納米技術研究者提供了處理各種應用需求的靈活性。用戶可以設置脈沖參數，例如幅值、上升和下降時間、脈沖寬度和占空比，可以選擇多種操作模式，包括用于材料和器件特征分析的脈沖與猝發模式。其簡潔的用戶界面加快了學習曲線的建立過程，相比同類產品能夠使用戶更快地設置和執行測試操作。
結束語：
脈沖測試為人們和研究納米材料、納米電子和目前的半導體器件提供了一種重要手段。在加電壓脈沖的同時測量直流電流是電荷泵的基本原理，這對于測量半導體和納米材料的固有電荷俘獲特性是很重要的。施加電流脈沖同時測量電壓使研究人員能夠對下一代器件進行低電阻測量或者進行I-V特征分析，同時保護這些寶貴的器件不受損壞。