日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動(dòng)IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。
　
　　器件的工作頻率超過(guò)1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強(qiáng)型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對(duì)服務(wù)器和桌面電腦、圖形卡、工作站、游戲機(jī)和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器的DrMOS 4.0標(biāo)準(zhǔn)。
　
　　SiC779CD的先進(jìn)柵極驅(qū)動(dòng)IC可接收來(lái)自VR控制器的一個(gè)PWM輸入，并把輸入轉(zhuǎn)換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器，經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)，可支持具有三態(tài)PWM輸出函數(shù)的控制器。
　　　
　　調(diào)節(jié)器可使用3V～16V的輸入電壓進(jìn)行工作，最高可輸出40A的連續(xù)電流。集成的功率MOSFET為0.8V～2.0V的輸出電壓進(jìn)行了優(yōu)化，標(biāo)稱(chēng)輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應(yīng)用提供非常高的功率。
　　
　　器件的驅(qū)動(dòng)IC具有能自動(dòng)偵測(cè)輕負(fù)載情況的電路，能自動(dòng)開(kāi)啟系統(tǒng)中為在輕負(fù)載條件下實(shí)現(xiàn)高效率而設(shè)計(jì)的跳頻模式工作(SMOD)。主動(dòng)式失效時(shí)間控制有助于進(jìn)一步提高在所有負(fù)載點(diǎn)上的效率。保護(hù)功能包括UVLO、擊穿保護(hù)，在結(jié)溫過(guò)高時(shí)，熱告警功能可對(duì)系統(tǒng)發(fā)出報(bào)警信號(hào)。
　　
　　在SiC779CD里集成的驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗，減小與高頻分立功率級(jí)相關(guān)的寄生阻抗。設(shè)計(jì)者可以為高頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化，改善瞬態(tài)響應(yīng)，節(jié)約輸出濾波器元件的成本，在多相Vcore應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)盡可能高的功率密度。
　　
　　器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。
　　
　　SiC779CD現(xiàn)可提供樣品，將在2011年6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。