高級半導體解決方案的主要供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱瑞薩電子），于2011年1月12日正式宣布推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）產品。新產品名為RJK60S5DPK，具有極高的效率，能顯著降低PC服務器、通信基站以及太陽能發電系統等的功耗。

新型高壓功率MOSFET  RJK60S5DPK

　　作為瑞薩電子高壓功率MOSFET系列的首款產品，本次的RJK60S5DPK非常適用于將交流電（AC）轉換為直流電（DC）的電源主開關電路應用。其所采用的高精度超級連接結構（注1），使其實現了高于瑞薩電子現有產品約90%的性能系數（FOM，功率MOSFET產品的重要性能指標）（注2）。
　
　　近年來，為降低能源消耗，電源電路的高效化需求正在不斷增長。尤其是平板電視、通信基站、PC服務器、以及太陽能發電系統等高輸出功率的電源開關系統，更是對電力轉換效率的改善與省電性能提出了更高的要求。因此，功率MOSFET產品也面臨著更低的導通電阻（注3）性能需求。然而，功率MOSFET的傳統平面結構卻限制了產品的完善空間。面對上述課題，本次瑞薩電子嘗試將其長期累積的功率器件技術用于功率MOSFET，利用深槽工藝，成功地開發出了高精度超級連接結構，使MOSFET器件的單位面積導通電阻得到了顯著的降低。
　
　　新型RJK60S5DPK功率MOSFET具有以下主要優勢：
　　（1）領先業界的低導通電阻
　　新型的RJK60S5DPK導通電阻僅為150mΩ（在ID=10A，VGSS=10V情況下的標準值），比瑞薩電子現有同類產品低了約52%，有效改善電源轉換時的電力損失。
　
　　(2) 高速開關
　　影響開關速度的首要、也是最主要的原因是功率MOSFET的驅動器電容。新RJK60S5DPK的驅動器電容（柵電荷Qgd）（注4）比瑞薩電子現有產品降低了約80%，成功實現了6nC（在ID= 10，VGSS=10伏情況下的標準值）的開關速度，實現電源轉換效率的顯著提升。
　
　　此外，RJK60S5DPK功率MOSFET不但采用了與TO-3P相同外形的標準封裝，同時還采用了符合業界標準的引腳配置。這意味著它將非常易于安裝在采用傳統平面MOSFET器件并備受業內好評的開關電源電路板上。
　
　　相比瑞薩電子原有的平面結構系列產品，采用高精密超級連接結構的功率MOSFET系列產品的單位面積導通電阻降低了約80%。因此，在導通電阻相同的情況下，新產品可幫助芯片產品實現面積的縮小。例如，原先采用TO-3P（15.6mm×19.9mm）封裝的產品如采用本次的新功率MOSFET，將可使其封裝縮小到TO-220FL（10mm×15mm）。這對今后瑞薩電子推廣小型封裝產品起到至關重要的作用。