全新的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)已公布，新的標(biāo)準(zhǔn)訪問(wèn)吞吐達(dá)到400MB/s，比現(xiàn)有NAND的速度提升了一倍。這樣可使閃存對(duì)消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備及商業(yè)計(jì)算更具有吸引力。
Open NAND Flash Interface（ONFI）工作組已經(jīng)公布了其ONFI 3.0標(biāo)準(zhǔn)。該公司成立于2006年5月，擁有100多個(gè)涉及制造、設(shè)計(jì)以及使用閃存產(chǎn)品的成員，包括海力士、英特爾、鎂光、SanDisk以及索尼。
3.0標(biāo)準(zhǔn)采用的是非易失性的DDR2（NV-DDR2）接口，其可以使接口速度從ONFI 2.1的200MB/s提升到400MB/s。全新的標(biāo)準(zhǔn)兼容以前的ONFI標(biāo)準(zhǔn)。
ONFI表示："ONFI3.0整合了一個(gè)緊密片基選擇功能，其可以簡(jiǎn)化芯片啟動(dòng)（CE）針腳數(shù)，從而降低控制器引腳數(shù)使PCB走線更加有效率。減少芯片針腳數(shù)對(duì)于SSD特別重要，這樣可以降低成本且允許將額外的針腳分配到系統(tǒng)內(nèi)的其他應(yīng)用程序上。"
預(yù)計(jì)ONFI未來(lái)發(fā)行的版本將支持ECC Zero（EZ-NAND接口），并且無(wú)需NAND糾錯(cuò)及校驗(yàn)（ECC）操作，從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)過(guò)程。ONFI 3.0將被廣泛應(yīng)用。
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