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德州儀器 NexFETTM 功率模塊以分立式解決方案 50% 的尺寸實現(xiàn)最高的效率、頻率以及功率密度
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Vishay發(fā)布幫助客戶進一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程
發(fā)表于：2010/6/12 0:00:00
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Vishay改進ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
發(fā)表于：2010/6/9 0:00:00
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運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)
發(fā)表于：2010/6/7 0:00:00
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功率半導體下游需求旺盛 前景看好
發(fā)表于：2010/6/4 0:00:00
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恩智浦發(fā)布兩種擁有0.65 mm的行業(yè)最低高度的新2x2 mm無鉛分立封裝
發(fā)表于：2010/6/3 0:00:00
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IGBT在不間斷電源中的應用
發(fā)表于：2010/6/1 0:00:00
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大功率多相降壓型 DC/DC 控制器具有差分遠端采樣、有源電壓定位和 Stage Shedding 技術(shù)
發(fā)表于：2010/5/25 0:00:00
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Maxim推出內(nèi)置MOSFET的單端口、供電設備(PSE)控制器
發(fā)表于：2010/5/25 0:00:00
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基于功率MOSFET設計考量
發(fā)表于：2010/5/18 0:00:00
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針對大電流軌的三相降壓型 DC/DC 控制器
發(fā)表于：2010/5/17 0:00:00
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英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型ThinPAK 8x8無管腳SMD封裝，旨在實現(xiàn)更高功率密度解決方案
發(fā)表于：2010/5/10 0:00:00
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IR 推出汽車用 AUIRS2117S 和 AUIRS2118S 600V IC，提供可靠的緊湊型解決方案
發(fā)表于：2010/5/10 0:00:00
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高性能4通道D類音頻放大器設計
發(fā)表于：2010/5/5 0:00:00
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Vishay Siliconix發(fā)布首款采用PowerPAK 1212-8封裝的30V P溝道TrenchFET功率MOSFET
發(fā)表于：2010/5/5 0:00:00
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Vishay Siliconix發(fā)布首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/27 0:00:00
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Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護器
發(fā)表于：2010/4/26 0:00:00
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英飛凌與飛兆半導體達成功率MOSFET兼容協(xié)議
發(fā)表于：2010/4/26 0:00:00
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安森美半導體擴充高壓功率方案系列，推出帶集成肖特基二極管的30 V N溝道功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/9 0:00:00
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Vishay Siliconix將第三代P溝道TrenchFET®技術(shù)擴展至雙路12V功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/8 0:00:00
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IR 推出堅固耐用、具有低導通電阻的汽車用 MOSFET 系列
發(fā)表于：2010/4/7 0:00:00
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
發(fā)表于：2010/4/6 0:00:00
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Vishay推出采用6767外形尺寸的新器件，繼續(xù)擴充IHLP®系列電感器家族
發(fā)表于：2010/4/2 0:00:00
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Vishay發(fā)布新款microBUCKTM集成同步降壓穩(wěn)壓器
發(fā)表于：2010/3/22 0:00:00
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半橋拓撲結(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動方案選擇：變壓器還是硅芯片？
發(fā)表于：2010/3/16 0:00:00
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IR推出采用PQFN封裝的20V、25V及30V MOSFET，適用于ORing和電機驅(qū)動應用
發(fā)表于：2010/3/11 0:00:00
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60V 輸入、雙路輸出同步降壓型 DC/DC 控制器在電池供電系統(tǒng)中僅吸取 50uA 電流
發(fā)表于：2010/3/9 0:00:00
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飛兆半導體微型以封裝高效產(chǎn)品應對DC-DC設計挑戰(zhàn)
發(fā)表于：2010/3/2 0:00:00
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英飛凌推出25V OptiMOS? 調(diào)壓MOSFET 和 DrMOS系列，使典型服務器的能效達到93%
發(fā)表于：2010/3/1 0:00:00
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