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英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關成本
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第 4 代碳化硅技術：重新定義高功率應用的性能和耐久性
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華碩侵犯力士科技MOSFET專利被判賠償1050萬美元
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CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
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意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET
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強茂推出SGT MOSFET第一代系列：創新槽溝技術
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Vishay 新款150 V MOSFET具備業界領先的功率損耗性能
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東芝推出具有低導通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200 V SiC MOSFET
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Nexperia與KOSTAL就先進車規級寬禁帶器件達成戰略合作伙伴關系
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業界首款用于SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極管系列
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Nexperia現提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封裝的汽車級小信號MOSFET
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我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
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Nexperia最新擴充的NextPower 80/100V MOSFET產品組合可提供更高的設計靈活性
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Magnachip推出用于智能手機的第8代短溝道MOSFET
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PANJIT推出最新高效能60V/100V/150V車規級 MOSFET系列
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越來越受歡迎的D2PAK-7封裝
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Vishay推出具有業內先進水平的小型頂側冷卻
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意法半導體車規MDmesh DM9超結MOSFET提升硅片能效
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英飛凌為汽車應用推出業內導通電阻最低的 80 V MOSFET OptiMOS? 7
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Vishay的新款80 V對稱雙通道 MOSFET的RDS(ON)達到業內先進水平
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列
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英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2
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