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HBM帶動(dòng)三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營收前四
發(fā)表于：2024/8/14 9:25:00
三星二季度晶圓代工業(yè)務(wù)預(yù)計(jì)虧損3000億韓元
發(fā)表于：2024/8/12 10:50:21
三星聯(lián)手高通開發(fā)XR專用芯片
發(fā)表于：2024/8/9 10:58:39
曝三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年可能虧損數(shù)萬億韓元
發(fā)表于：2024/8/8 10:41:15
三星被控在微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域侵犯哈佛專利
發(fā)表于：2024/8/7 11:12:07
傳中企囤積三星HBM芯片以應(yīng)對美出口管制
發(fā)表于：2024/8/7 9:15:00
消息稱三星8層HBM3E存儲(chǔ)芯片已通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：2024/8/7 8:50:00
消息稱三星電子與Naver將在Mach-1后實(shí)質(zhì)結(jié)束AI芯片合作
發(fā)表于：2024/8/6 10:05:00
三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝
發(fā)表于：2024/8/6 8:23:00
三星計(jì)劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品
發(fā)表于：2024/8/1 13:16:16
消息稱三星電子V9 QLC NAND閃存尚未獲量產(chǎn)就緒許可
發(fā)表于：2024/8/1 9:20:00
三星將主導(dǎo)6G標(biāo)準(zhǔn)制定？
發(fā)表于：2024/8/1 9:06:00
晶圓代工三巨頭從納米時(shí)代轉(zhuǎn)戰(zhàn)埃米時(shí)代
發(fā)表于：2024/7/30 9:29:00
大陸芯片設(shè)計(jì)業(yè)計(jì)劃從臺(tái)積電轉(zhuǎn)單三星
發(fā)表于：2024/7/29 10:10:00
2023年全球CMOS圖像傳感器市場報(bào)告公布
發(fā)表于：2024/7/26 8:29:00
三星HBM3芯片已通過英偉達(dá)認(rèn)證
發(fā)表于：2024/7/25 10:25:00
三星電子2nm工藝EUV曝光層數(shù)將增加30%以上
發(fā)表于：2024/7/24 9:19:00
消息稱三星電子考慮在顯示器中引入LG Display產(chǎn)W-OLED面板
發(fā)表于：2024/7/24 9:16:00
晶圓代工巨頭開始新競賽
發(fā)表于：2024/7/24 9:05:00
全球市值TOP 100半導(dǎo)體公司最新排名公布
發(fā)表于：2024/7/23 8:36:00
三星2nm制程將增加30%的EUV光刻層
發(fā)表于：2024/7/20 13:30:00
傳稱三星將轉(zhuǎn)移30%產(chǎn)能生產(chǎn)HBM
發(fā)表于：2024/7/17 22:10:00
三星發(fā)布全新智能戒指Galaxy Ring
發(fā)表于：2024/7/15 9:05:00
三星3nm工藝的Exynos 2500芯片研發(fā)取得顯著進(jìn)展
發(fā)表于：2024/7/15 9:02:00
玻璃基板技術(shù)開創(chuàng)半導(dǎo)體芯片封裝新格局
發(fā)表于：2024/7/12 9:13:00
三星無限期罷工已影響部分芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：2024/7/12 9:04:00
三星正式回應(yīng)自家3nm工藝良率不到20%傳聞
發(fā)表于：2024/7/11 9:20:00
報(bào)告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬顆
發(fā)表于：2024/7/11 9:08:00
三星2nm制程與2.5D封裝獲日本Preferred Networks訂單
發(fā)表于：2024/7/10 9:16:00
HBM芯片之爭愈演愈烈
發(fā)表于：2024/7/10 9:10:00

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