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微波射頻相關(guān)文章

檢測(cè)傳感器和放大器間的故障

即使正常狀態(tài)下，傳感器和放大器間也可能出現(xiàn)故障，該故障可能是由錯(cuò)誤應(yīng)用、所處的使用環(huán)境、低品質(zhì)的組件或其他原因引起的。本文將介紹經(jīng)常發(fā)生的故障類型，并舉例說明這些故障是如何導(dǎo)致錯(cuò)誤的測(cè)量結(jié)果。分立式方案可以檢測(cè)這些故障，但會(huì)影響系統(tǒng)的性能。本文將給出儀表放大器的故障檢測(cè)電路以及各故障的檢測(cè)方法，另外還會(huì)提到一種檢測(cè)故障的自我測(cè)試程序。文中最后還將討論采用分立式方案檢測(cè)故障時(shí)對(duì)系統(tǒng)性能的影響。

發(fā)表于：7/17/2011

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM),自從1889年匈牙利工程師OttoBlathy發(fā)明全世界第一個(gè)電能表(瓦特瓦時(shí)表)原型之后，電能表經(jīng)過一個(gè)世紀(jì)多的演進(jìn)：由機(jī)械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費(fèi)電能表(pre-paid)復(fù)費(fèi)率電能

發(fā)表于：7/17/2011

計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的層次

了兼顧存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度，當(dāng)前計(jì)算機(jī)幾乎毫無例外地采用了如圖所示的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

發(fā)表于：7/16/2011

C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM

DSP是針對(duì)實(shí)時(shí)數(shù)字信號(hào)處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號(hào)處理器，由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。

發(fā)表于：7/16/2011

相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法

相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法,BM蘇黎世研究中心的科學(xué)家們?nèi)涨氨硎荆呀?jīng)發(fā)現(xiàn)能夠可靠地在相變存儲(chǔ)器(PCM)單元中儲(chǔ)存多個(gè)位元的方法。該小組采用90nm工藝技術(shù)，在200k單元陣列中實(shí)現(xiàn)了每存儲(chǔ)單元為四層(2位元)，并表示已開發(fā)出一種編碼方法，能克

發(fā)表于：7/16/2011

一種相變存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[圖]

本文介紹了一種新型的、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的相變存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，該電路采用電流驅(qū)動(dòng)方式，主要包括基準(zhǔn)電壓電路、偏置電流電路、電流鏡電路及控制電路。

發(fā)表于：7/15/2011

環(huán)境溫、濕度及光照三合一傳感器設(shè)計(jì)

在對(duì)環(huán)境溫度、濕度和光照度進(jìn)行測(cè)量時(shí)，大多使用熱敏電阻、濕敏電容和光敏器件來分別測(cè)量溫度、濕度和光照度。這種測(cè)量方法一般要設(shè)計(jì)相應(yīng)的信號(hào)調(diào)理電路，還要經(jīng)過復(fù)雜的標(biāo)定過程，測(cè)量精度難以保證。當(dāng)對(duì)兩個(gè)以上的參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測(cè)時(shí)，每一個(gè)測(cè)量點(diǎn)都必須使用獨(dú)立傳感器和獨(dú)立的信號(hào)調(diào)理電路，這不僅使得測(cè)量系統(tǒng)的成本和體積大幅提高，也在一定程度上增加了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。本設(shè)計(jì)采用SHT11溫濕度傳感器芯片和一款集成了ADC的環(huán)境光傳感器MAX9635，實(shí)現(xiàn)溫、濕度及光照三合一傳感器設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：7/15/2011

蘋果的iCloud可能危及未來的NAND需求

由于iPad和iPhone等產(chǎn)品熱銷，預(yù)計(jì)今年蘋果仍將是全球最大的NAND閃存買家，占全球需求的30%左右。但據(jù)IHSiSuppli公司的報(bào)告：“WilliCloudBringanEndtoLocalNANDStorage”，蘋果新推出的iCloud存儲(chǔ)服務(wù)將來可能明顯削弱NAND需求。

發(fā)表于：7/15/2011

晶硅薄膜效率創(chuàng)16.3%新紀(jì)錄

薄膜太陽能組件技術(shù)有了新突破，美國(guó)光伏生產(chǎn)商Uni-Solar宣布，其Nano-Crystalline薄膜組件效率了16.3%，創(chuàng)世界紀(jì)錄新高。

發(fā)表于：7/15/2011

用于視頻和圖像領(lǐng)域的高密度可編程FIFO存儲(chǔ)器

在這篇文章中，我們將首先介紹幾個(gè)視頻應(yīng)用，了解其數(shù)據(jù)路徑及需要處理的數(shù)據(jù)性質(zhì)。下一步，我們將盡力估計(jì)在視頻處理通道中操作數(shù)據(jù)的復(fù)雜性。然后會(huì)介紹可編程高密度FIFO和其能力，以及它如何能更有效率的替代當(dāng)前傳統(tǒng)的使用SDRAM和FPGA實(shí)現(xiàn)幀緩存的方案。

發(fā)表于：7/15/2011

Fox Electronics為小型便攜設(shè)備提供小占位面積、低功耗振蕩器產(chǎn)品

全球領(lǐng)先的頻率控制解決方案供應(yīng)商Fox Electronics Asia Ltd.現(xiàn)推出全新 F100 HCMOS 系列小占位面積、低耗電量振蕩器產(chǎn)品，適用于小型便攜設(shè)備。該系列振蕩器備有1.8V (F110系列)、2.5V (F140系列) 和3.3V (F130系列)三種選擇，頻率范圍在1.0MHz至80.0MHz之間，全部均采用側(cè)高低至0.8mm、占位面積為2.0mm x 1.6mm的緊湊型封裝。　

發(fā)表于：7/14/2011

Molex推出Brad® Micro-Change® M12圓形混合技術(shù)(CHT)連接器

全球領(lǐng)先的互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出創(chuàng)新的Brad® Micro-Change® M12 圓形混合技術(shù)(Circular Hybrid Technology，CHT)連接器，結(jié)合了Cat 5e數(shù)據(jù)速率與電源，具有高信號(hào)完整性和極佳的性能。　　

發(fā)表于：7/14/2011

寬輸入電壓范圍降壓型 DC/DC 控制器具 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3851A 的 H 級(jí)和 MP 級(jí)版本，這些同步降壓型 DC/DC 控制器具有寬輸入電壓范圍 (4V 至 38V)，適用于多種應(yīng)用，涵蓋了大多數(shù)中間總線電壓和電池化學(xué)組成。強(qiáng)大的內(nèi)置 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器允許使用大功率外部 MOSFET，以在 0.8V 至 5.5V 的輸出電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生高達(dá) 25A 的輸出電流，從而理想地滿足了負(fù)載點(diǎn)的要求。這些 H 級(jí)和 MP 級(jí)版本器件經(jīng)過測(cè)試，分別保證工作在 -40°C 至 150°C 和 -55°C 至 150°C 的工作節(jié)溫范圍。應(yīng)用包括汽車系統(tǒng)、工業(yè)、醫(yī)療、數(shù)據(jù)通信和電信。

發(fā)表于：7/14/2011

東芝與Sandisk共慶300mm級(jí)NAND閃存工廠Fab 5在日本正式投產(chǎn)

東芝株式會(huì)社 (TOKYO：6502) 與SanDisk公司 (NASDAQ：SNDK) 今日共同慶祝位于日本三重縣四日市東芝生產(chǎn)基地的第三家300mm晶圓NAND生產(chǎn)工廠Fab 5正式投產(chǎn)。

發(fā)表于：7/14/2011

FTTx接入下的IPTV業(yè)務(wù)關(guān)鍵需求[圖]

由于IPTV業(yè)務(wù)的快速增長(zhǎng)和運(yùn)營(yíng)商對(duì)組播業(yè)務(wù)可管理、可運(yùn)營(yíng)的要求，針對(duì)組播技術(shù)的可控組播要求變得越來越重要。

發(fā)表于：7/14/2011

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