采用噪聲抵消技術(shù)的高增益CMOS寬帶LNA設(shè)計 | |
所屬分類:技術(shù)論文 | |
上傳者:aet | |
文檔大小:499 K | |
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文檔介紹:設(shè)計了一種面向多頻段應(yīng)用的CMOS寬帶低噪聲放大器。采用噪聲抵消技術(shù)以及局部負(fù)反饋結(jié)構(gòu),引入柵極電感補償高頻的增益損失,電路具有高增益、低噪聲的特點,并且具有平坦的通帶增益。設(shè)計采用UMC 0.18 μm工藝,后仿真顯示:在1.8 V供電電壓下,LNA的直流功耗約為9.45 mW,電路的最大增益約為23 dB,3 dB頻帶范圍為0.1 GHz~1.35 GHz,3 dB帶寬內(nèi)的噪聲約為1.7 dB~5 dB;在1 V供電電壓下,電路依然能夠保持較高的性能。 | |
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