| 3 GHz～5 GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：518 K | |
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| 文檔介紹：提出了一個(gè)低噪聲、高線性的超寬帶低噪聲放大器（UWB LNA）。電路由窄帶PCSNIM LNA拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和并聯(lián)低Q負(fù)載結(jié)構(gòu)組成，采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工藝，并在其輸入輸出端引入了高階帶通濾波器。仿真結(jié)果表明，在1.8 V直流電壓下LNA的功耗約為10.6 mW。在3 GHz～5 GHz的超寬帶頻段內(nèi)，增益約為13.5 dB，輸入、輸出回波損耗S11、S22均小于-14 dB，噪聲系數(shù)（NF）為0.875 dB～4.072 dB，三階交調(diào)點(diǎn)IIP3均值為5.35 dB。 | |
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