紅外焦平面硅基通孔加工及電極互連技術
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
文檔大小：447 K
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文檔介紹：通過硅通孔技術實現紅外焦平面電極垂直互連，提高像元占空比，縮短了互連引線長度，降低了信號延遲。用單晶硅濕法刻蝕方法形成通孔，利用直寫技術將耐高溫Ag-Pd導體漿料填充通孔，實現紅外焦平面陣列底電極與硅基片背面倒裝焊凸點互連。
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