| 0.18 μm CMOS帶隙基準電壓源的設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：324 K | |
| 標簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：基準電壓源可廣泛應用于A/D、D/A轉換器、隨機動態存儲器、閃存以及系統集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設計了具有高穩定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準電壓源。 | |
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