| 0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：324 K | |
| 標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件 | |
| 所需積分：0分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。 | |
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