| 自偏置低噪放的設(shè)計(jì)與改進(jìn) | |
| 所屬分類(lèi)：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：256 K | |
| 標(biāo)簽： RF|微波 | |
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| 文檔介紹：分析了貼片電容的非理想特性在C波段及以上頻率的自偏置電路旁路應(yīng)用中對(duì)低噪放設(shè)計(jì)的不利影響。分析表明,貼片電容用做自偏置旁路時(shí)將嚴(yán)重惡化電路的穩(wěn)定性和噪聲指標(biāo)。提出了對(duì)自偏置電路的改進(jìn)方法及工藝實(shí)現(xiàn)，從而避免了電容對(duì)指標(biāo)的負(fù)面影響。為了驗(yàn)證改進(jìn)電路的優(yōu)勢(shì)，采用改進(jìn)的自偏置電路設(shè)計(jì)了6 GHz~9 GHz低噪放，實(shí)驗(yàn)結(jié)果很好地驗(yàn)證了其分析。 | |
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