| 解讀功率電子技術(shù)發(fā)展趨勢——飛兆半導(dǎo)體與PCIM China 2010大放異彩 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：76 K | |
| 標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：2010年6月1日～3日在上海舉辦的PCIM China 2010展會上，來自飛兆半導(dǎo)體的技術(shù)專家與業(yè)內(nèi)人士共聚一堂，分享了最新成果，并于同期研討會上闡述了功率電子技術(shù)的最新發(fā)展?fàn)顩r和未來的發(fā)展趨勢。 | |
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