| MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：aet | |
| 文檔大小：341 K | |
| 標簽： 光傳輸網(wǎng)絡(luò) | |
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| 文檔介紹：MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能Carl Blake, 國際整流器公司 一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應(yīng)要求。 MOSFET的開關(guān)速度將決定未來POL電源的性能.pdf | |
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