| 150V低RDS(ON) MOSFET器件FDMS86200 | |
| 所屬分類：參考設計 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大?。?span>211 K | |
| 標簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：飛兆半導體公司推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優化品質因數(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的工藝技術和封裝技術，以及系統專有技術，并采用5mm x 6mm MLP封裝，具有效率高、功耗較低和散熱較少的特性。 | |
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