| 集成全新650V IGBT和發(fā)射極控制二極管芯片技術(shù)的三電平IGBT功率 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：205 K | |
| 標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：通過將一個完整的三電平橋臂集成在一個模塊內(nèi)部，把器件耐壓從600V提高到650V，然后配上較高集成度的驅(qū)動解決方案，這種三電平NPC拓?fù)錇橹小⑿」β誓孀兤魅绺咝У腢PS、PV等需要工作在較高開關(guān)頻率和配置有濾波器的應(yīng)用帶來非常具有吸引力的解決方案。 | |
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