| 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的單次及重復(fù)性雪崩耐量分析 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：serena | |
| 文檔大小：71 K | |
| 標(biāo)簽： MOS|IGBT|元器件 | |
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| 文檔介紹：通常，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET的崩潰效應(yīng)的評(píng)估皆以單一脈沖UIS 為基準(zhǔn)。本應(yīng)用筆記對(duì)雪崩耐量進(jìn)行了詳細(xì)分析，并在安全操作條件下，嘗試對(duì)UIS能量進(jìn)行了適當(dāng)?shù)牧炕? | |
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