新品快遞 面向英飛凌新一代TriCore架構的Synopsys全新模型 2016年8月1日，加利福尼亞州芒廷維尤訊——Synopsys公司（Nasdaq代碼：SNPS）近日發布面向英飛凌最新TriCore?架構--TriCore 1.6.2--的全新模型，以供配合SynopsysVirtualizer? 開發套件（VDK）使用。 發表于：8/1/2016 8:43:00 PM 新日本無線再添兩款全新反射式光電傳感器 新日本無線的反射式光電傳感器再添新成員，特為可穿戴設備設計而研發的2款全新產品（NJL5311R、NJL5513R）現已經正式面市。具有體征監測功能的可穿戴設備解決方案里，使用此傳感器，將會進一步提高和模擬前端（AFE）IC的匹配度，并且作為用于測量脈搏波和血氧飽和度的可穿戴設備傳感器，其整體設計方案將會變得更加簡單容易。 發表于：8/1/2016 8:29:00 PM Qorvo的ZigBee芯片被Levarys的智能家居系統所采用 中國，北京 – 2016年7月28日 – 實現互聯世界的創新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，全球領先的智能恒溫器解決方案制造商Levarys在其最新推出的Luna智能家居系統的能耗管理中選擇了Qorvo低功耗無線業務部（原GreenPeak Technologies）的ZigBee芯片。 發表于：8/1/2016 7:17:00 PM U-blox助力RiskBand打造全球領先的安全手環 中國北京，2016年7月28日——Whereable Technologies采用全球無線及定位模塊和芯片的領先供應商u-blox公司（SIX:UBXN）的尖端科技，研制出了首款無需與手機連接即可實現實時監控的個人可穿戴安全設備——RiskBand。 發表于：8/1/2016 6:07:00 PM 艾邁斯半導體收購顏色和光譜傳感專家MAZeT 中國，2016年7月26日，全球領先的高性能傳感器和模擬IC解決方案供應商艾邁斯半導體公司（ams AG，SIX股票代碼：AMS）宣布完成對顏色和光譜傳感系統專家MAZeT GmbH 100%股份的現金收購。此次戰略性收購提升了艾邁斯半導體在先進光學傳感器市場的領先地位，同時鞏固了艾邁斯半導體在新興光學傳感器應用領域的領先位置。 發表于：7/29/2016 3:09:00 PM Littelfuse推出了兩個系列的0.5pF 12kV瞬態抑制二極管陣列 中國，北京，2016年7月29日訊 - Littelfuse公司作為全球領先的電路保護方案供應商，日前宣布推出了兩個系列的瞬態抑制二極管陣列（SPA®二極管），旨在保護多種最新的高速接口不受靜電放電（ESD）造成的損壞。 發表于：7/29/2016 3:04:00 PM 超寬帶 6GHz 零中頻I/Q 解調器 加利福尼亞州米爾皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 7 月 27 日 – 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出新的高線性度 I/Q 解調器 LTC5586，該器件具有大于 1GHz、–1dB 平坦度的帶寬，可支持下一代 5G 無線基礎設施設備，例如：面向基站、微波回程和軟件定義無線電 (SDR)、以及其他寬帶接收器應用的 DPD (數字預失真校正) 接收器。LTC5586 的 RF 輸入端口是真正的寬帶。 發表于：7/29/2016 2:49:00 PM ROHM旗下Kionix開發出六軸加速度陀螺儀組合傳感器 ROHM集團旗下的Kionix, Inc. （總部位于美國紐約州伊薩卡）開發出最適于智能手機、可穿戴式設備和游戲機等需要以低功耗進行運動傳感的應用的六軸加速度陀螺儀組合傳感器“KXG07”、“KXG08”。 發表于：7/29/2016 2:31:00 PM Fairchild USB Type-C 控制器兼容最新 Type-C 規格 加利福尼亞桑尼維爾– 2016 年7月 28日 — 高性能半導體解決方案全球領先供應商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天宣布旗下 FUSB302 USB Type-C 系列控制器是業內第一個兼容最新 USB Type-C 標準的控制器，包括功率輸出 (PD) 規格。制造商使用 FUSB302 可輕松支持其產品的所有當前和以往 USB Type-C 規格。 發表于：7/29/2016 1:58:00 PM 安森美半導體推出汽車功率集成模塊方案 2016 年 7月28日- 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，進一步擴展汽車功率集成模塊(PIM)產品陣容，推出STK984-190-E。該模塊經優化以驅動三相無刷直流電機(BLDC)用于現代汽車應用，包含6個40 V、30 A MOSFET配置為一個三相橋，及一個額外的40 V、30 A高邊反向電池保護MOSFET。這些MOSFET被貼裝到一個直接鍵合銅(DBC)基板，產生一個緊湊的模塊，具有極佳散熱性，僅占具有同等效能的分立方案所用電路板空間的一半。 發表于：7/29/2016 1:52:00 PM ?…300301302303304305306307308309…?
